Модуль IGBT 1700V

Символ

Опис

GD300HFT170C2S

Одиниці

ВСЕ

Колектор-Емітер Напруга

1700

В

VGFs

Затвор-Емітер Напруга

±20

В

Ic

Колекціонер Текуче @Tc=25℃

@Tc=80℃

550

A

300

ICM(1)

Імпульсний Колекціонер Текуче tp= 1мс

600

A

Ір

Диод Безперервний Наперед Текуче

300

A

ІМ

Диод Максимальний Наперед Текуче

600

A

ПП

Максимальний Потужність Витрати @Tj=175℃

2083

W

TSC

Короткий СХЕМА Витримайте. Час @Tj =125℃

10

μs

Tjmax

Максимальний З'єднання Температура

175

℃

ТСТГ

Сховище Температура Діапазон

-40 to+125

℃

I²t-значення,Діод

VR=0V,t=10ms,Tj=125°C

14500

A²s

Визо

Ізоляція Напруга RMS,f=50Hz,t=1хв

4000

В

Монтаж Крутяний момент

Потужність Термінал Шуруп :M6

2.5 до 5.0

Н.М

Монтаж Гвинт:M6

3.0 до 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Випробування Умови

мін .

Тип .

макс .

Одиниці

BVcrs

Колектор-Емітер

Пробій Напруга

VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃

1700

В

ICES

Колекціонер Вимкнення Текуче

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

3.0

mA

IGrs

Затвор-Емітер витік Текуче

VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃

400

НА

Символ

Параметр

Випробування Умови

мін .

Тип.

макс .

Одиниці

Vcπ(h)

Затвор-Емітер Поріг Напруга

Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃

5.2

5.8

6.4

В

ВЦЕ (Сітат)

Колекціонер до Випромінювач насищення Напруга

Ic=300A,VGr=15V, T=25℃

2.0

В

Ic = 300A, VGr =15V. T=125℃

2.4

Символ

Параметр

Випробування Умови

мін .

Тип.

макс .

Одиниці

taon)

Вмикнення Затримка Час

Vcc=900V,Ic=300A, Ra=4.72,

Vae=±15V, T=25℃

281

n

т

Підвищення Час

82

n

та (o)

Вимкнення Затримка Час

801

n

tr

Падіння Час

Vcc=900V,Ic=300A,

Rc=4.72,

V=±15V

T=25℃

121

n

ЕОН

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

70

mJ

Eofr

Вимкнення Перемикання

Потерпіла

65

mJ

ta(on)

Вмикнення Затримка Час

Vcc=900V,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15V T=125℃

303

n

т

Підвищення Час

103

n

ta(om)

Вимкнення Затримка Час

1002

n

tr

Падіння Час

203

n

ЕОН

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

105

mJ

ЕРП

Вимкнення Перемикання

Потерпіла

94

mJ

Ці

Вхід Кваліфікація

VCE=25V, f=1MHz,

VGr=0V

27.0

НФ

Коес

Вихід Кваліфікація

1.1

НФ

Крес

Реверсивний Передача

Кваліфікація

0.9

НФ

Isc

SC Дані

tSC≤10μs,VGE=15V,

T=125℃,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

1200

A

RGint

Внутрішній Затвор Опір СЕ

2.5

О

LCr

Випадковий Індуктивність

20

nH

RcC'+EE'

Модуль Ведучий опір, Термінал до Чіп

TC=25℃

0.35

м2

Символ

Параметр

Випробування Умови

мін .

Тип.

макс .

Одиниці

Віртуальна реальність

Диод Наперед

Напруга

Iq=300A

Tj=25℃

1.8

В

Ti=125℃

1.9

Q

Диод Реверсивний

Відновлення заряд

Ir=300A,

VR=900В,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25℃

77

МК

Tj=125°C

131

IRM

Диод Пік

Реверсивний Відновлення Текуче

Tj=25℃

351

A

T=125℃

383

Eree

Реверсивний Відновлення енергія

Tj=25℃

40

mJ

Tj=125°C

72

Символ

Параметр

Тип.

макс .

Одиниці

Rac

З'єднання -до -Справа (IGBT Частина , на 1/2 Моду l)

0.072

К/В

Rac

З'єднання -до -Справа (Диод Частина , P ер 1/2 Модуль)

0.13

К/В

Roc

Каси-до-суні (Провідний мастило застосовано)

0.035

К/В

Вага

Вага of Модуль

300

G