GD200HFL120C2S_G4, Модуль IGBT, STARPOWER

Модуль IGBT 1200V

GD200HFL120C2S_G4, Модуль IGBT, STARPOWER

1200В 200А

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFL120C2S_G4

Вступ
Контур
Схема еквівалентного кола

Вступ

Короткий огляд

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER. 1200В 200А.

Особливості

Низька VCE (sat) SPT+ IGBT технологія
Можливість короткого заклику 10 мкм
VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
Максимальна температура з'єднання 175℃
Низька індуктивність корпусу
Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
Ізольована медна підкладка з використанням технології DBC

Типові застосування

Інвертори для моторного приводу
Сервоприводний підсилювач змінного та постійного струму
Джерело неперевірного живлення

Абсолютно Максимальний Рейтинги т C =25 ℃ якщо тільки інакше зазначено

Символ	Опис	GD200HFL120C2S_G4	Одиниці
В CES	Напруження колектора-еміттера	1200	В
В ГЕС	Напруження шлюзового випромінювача	±20	В
Я C	Колекторний струм @ т C =25 ℃ @ T C = 100℃	360 200	A
Я CM	Імпульсний колекторний струм t P =1 мс	400	A
Я Ф	Диодний безперервний прохідний крив оренда	200	A
Я ЗМ	Максимальний прямий струм діода t P =1 мс	400	A
P Д	Максимальна потужність розсіювання @ T j =1 75℃	1364	W
т jmax	Максимальна температура перетину	175	℃
т джоп	Теплота роботи з'єднання	-40 до +150	℃
т СТГ	Температура зберігання Діапазон	-40 до +125	℃
В iso	Ізоляційний напруга RMS,f=50Hz,t=1 мін	4000	В
Монтаж Крутяний момент	Гвинт силового терміналу:M6 Монограф: М6	2.5 до 5.0 3,0 до 5.0	Н.М
Вага	Вага Модуль	300	G

Електричний Характеристики of IGBT т C =25 ℃ якщо тільки інакше зазначено

Характеристики вимкнення

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниці
В (BR )CES	Колектор-Емітер Напруга зламу	т j =25 ℃	1200			В
Я CES	Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче	В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, т j =25 ℃			5.0	mA
Я ГЕС	Витік шлюзового емітера Текуче	В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, т j =25 ℃			400	НА

Характеристики ввімкнення

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниці
В ГЕ (TH )	Порог шлюзового випромінювача Напруга	Я C =8.0 mA ,В СЕ = В ГЕ , т j =25 ℃	5.0	6.2	7.0	В
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C =200A,V ГЕ =15В, т j =25 ℃		1.90	2.35	В
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C =200A,V ГЕ =15В, т j =125 ℃		2.10		В

Перемикаючі характеристики

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниці
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 600 В,I C =200A, R G =5. 1Ω, V ГЕ =±15В, т j =25 ℃		437		n
т R	Час підйому			75		n
т Д (ЗВІЛЕНО )	Вимкнення Час затримки			436		n
т Ф	Час осені			165		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			10.0		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			15.0		mJ
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 600 В,I C =200A, R G =5. 1Ω, V ГЕ =±15В, т j = 125℃		445		n
т R	Час підйому			96		n
т Д (ЗВІЛЕНО )	Вимкнення Час затримки			488		n
т Ф	Час осені			258		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			15.9		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			22.3		mJ
C ies	Вхідна емкості	В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V		14.9		НФ
C oes	Вихідна ємність			1.04		НФ
C res	Обратний перевод Кваліфікація			0.68		НФ
Я SC	Дані SC	т P ≤ 10 мкм,В ГЕ =15 В, т j =125 °C, В CC = 900 В, В CEM ≤ 1200В		940		A
R Гінт	Внутрішня ворота опору Ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа			1.0		О
L СЕ	Індуктивність відхилення				20	nH
R CC+EE	Вивід модуля опір, термінал до чіпа			0.35		mΩ

Електричний Характеристики of Диод т C =25 ℃ якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування		Хв.	Тип.	Макс.	Одиниці
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф =200A	т j =25 ℃		1.82	2.25	В
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф =200A	т j =125 ℃		1.95		В
Q R	Відновили заряд	Я Ф =200A, В R =600V, R G =5. 1Ω, В ГЕ =-15В	т j =25 ℃		16.6		МК
Q R	Відновили заряд		т j =125 ℃		29.2		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку		т j =25 ℃		156		A
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку		т j =125 ℃		210		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія		т j =25 ℃		9.3		mJ
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія		т j =125 ℃		16.0		mJ

Теплові характеристики ics

Символ	Параметр	Тип.	Макс.	Одиниці
R θ JC	Зв'язок до справи (на IGB) T)		0.110	К/В
R θ JC	З'єднання до корпусу (на D) йод)		0.140	К/В
R θ CS	Категорія "Санк" (провідна жирова додатка) брехня)	0.035		К/В