Модуль IGBT 1200V

Символ

Опис

GD1200HFL120C3S

Одиниці

В CES

Напруження колектора-еміттера

1200

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

Я C

Колекторний струм @ т C =25 ℃

@ T C = 100℃

1900

1200

A

Я CM

Імпульсний колекторний струм t P =1 мс

2400

A

Я Ф

Диодний безперервний прохідний крив оренда

1200

A

Я ЗМ

Максимальний прямий струм діода t P =1 мс

2400

A

P Д

Максимальна потужність розсіювання @ T j =1 75℃

6.41

кВт

т jmax

Максимальна температура перетину

175

℃

т джоп

Максимальна температура перетину

-40 до +150

℃

т СТГ

Температура зберігання Діапазон

-40 до +125

℃

В iso

Ізоляційний напруга RMS,f=50Hz,t=1 мін

4000

В

м

Термінальний момент підключення, Шруб M4

1,8 до 2.1

Термінальний момент підключення, Шруб M8

8,0 до 10

Н.М

Монометричний момент; Шуруп M6

4,25 - 5,75

G

Вага Модуль

1500

G

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В (BR )CES

Колектор-Емітер

Напруга зламу

т j =25 ℃

1200

В

Я CES

Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО

Текуче

В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЕС

Витік шлюзового емітера Текуче

В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НА

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В ГЕ (TH )

Порог шлюзового випромінювача Напруга

Я C =48.0 mA ,В СЕ = В ГЕ , т j =25 ℃

5.4

7.4

В

В CE (Сі)

Збирач до випускача

Насичення напруги

Я C = 1200A,V ГЕ =15В, т j =25 ℃

1.95

2.40

В

Я C = 1200A,V ГЕ =15В, т j =125 ℃

2.10

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

т Д (Увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C = 1200A, R Гон =2. 1Ω,R Гоф =4.5Ω, В ГЕ =±15 V,T j =25 ℃

200

n

т R

Час підйому

135

n

т Д (ЗВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

1050

n

т Ф

Час осені

130

n

E Увімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

136

mJ

E ЗВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

160

mJ

т Д (Увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C = 1200A, R Гон =2. 1Ω,R Гоф =4.5Ω, В ГЕ =±15 V,T j = 125℃

220

n

т R

Час підйому

190

n

т Д (ЗВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

1150

n

т Ф

Час осені

140

n

E Увімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

184

mJ

E ЗВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

208

mJ

C ies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz,

В ГЕ =0V

84.8

НФ

C res

Обратний перевод

Кваліфікація

3.76

НФ

Я SC

Дані SC

т P ≤ 10 мкм,В ГЕ =15 В,

т j =125 °C, В CC = 900 В, В CEM ≤ 1200В

4500

A

R Гінт

Внутрішня ворота опору Ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа

2.7

О

L СЕ

Індуктивність відхилення

20

nH

R CC+EE

Вивід модуля

опір,

термінал до чіпа

0.18

mΩ

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В Ф

Диод наперед

Напруга

Я Ф = 1200A

т j =25 ℃

1.65

2.20

В

т j =125 ℃

1.75

Q R

Відновили

заряд

Я Ф = 1200A,

В R =600V,

R Гон =2. 1Ω,

В ГЕ =-15В

т j =25 ℃

400

МК

т j =125 ℃

680

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

т j =25 ℃

1400

A

т j =125 ℃

1840

E Рекомендації

Обертаний відновлення енергія

т j =25 ℃

160

mJ

т j =125 ℃

296

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Одиниці

R θ JC

Зв'язок до справи (на IGB) T)

23.4

К/кВт

R θ JC

З'єднання до корпусу (на D) йод)

46.1

К/кВт

R θ CS

Категорія "Санк" (провідна жирова додатка) брехня)

6

К/кВт