Su soğutma

VDRM VRRM,

Tip & Kontur

800V

MT3 birimleri

MFx800-08-414S3

1000v

MT3 birimleri

MFx800-10-414S3

1200v

MT3 birimleri

MFx800-12-414S3

1400V

MT3 birimleri

MFx800-14-414S3

1600V

MT3

MFx800-16-414S3

1800V

MT3

MFx800-18-414S3

1800V

MT3Bölüm

Sembolik

Özellik

Test koşulları

Tj(℃)

değer

Birim

dakikada

türü

En fazla

IT(AV)

Ortalama açık durum akımı

180。Yarım sinüs dalgası 50Hz Tek taraflı soğutulmuş, Tc=55°C

125

800

a)

IT(RMS)

RMS iletken durum akımı

180- Hayır.yarım sinüs dalgası 50Hz

1256

a)

Idrm Irrm

Tekrarlayan tepe akımı

VDRM'de VRRM'de

125

120

Anne

ITSM

Ani açık durum akımı

10ms yarı sinüs dalgası, VR=0V

125

16

Ka

I2t

Birleştirme koordinasyonu için I2t

1280

a)²s* 10³

VTO

Sınır Voltajı

135

0.80

v

rt

Açık durum eğim direnci

0.26

mΩ

VTM

Zirve açık durum voltajı

ITM= 1500A

25

1.45

v

dv/dt

Kapalı durum voltajının kritik artış hızı

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Açık durumdaki akımın kritik artış hızı

Kapı kaynağı 1.5A

tr ≤0.5μs Tekrarlayıcı

125

200

A/μs

tgd

Geçit kontrolü gecikme süresi

IG= 1A dig/dt= 1A/μs

25

4

μs

Tq

Devre anahtarlamalı kapama süresi

ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs

125

250

μs

IGT

Kapı tetikleme akımı

VA= 12V, IA= 1A

25

30

250

Anne

Vgt

Kapı tetikleme voltajı

0.8

3.0

v

IH

Tutma akımı

10

300

Anne

il

Kilitleme akımı

IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us

25

1500

Anne

VGD

Tetiklenmeyen kapı voltajı

VDM=67%VDRM

125

0.25

v

IGD

Çıkartma kapısı olmayan akım

VDM=67%VDRM

125

5

Anne

Rth(j-c)

Termal direnç Kesişimden kasaya

Her çip için tek taraflı soğutma

0.065

°C/W

Rth(c-h)

Termal direnç kasa ile soğutucu arasında

Her çip için tek taraflı soğutma

0.020

°C/W

VISO

İzolasyon voltajı

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

v

fm

Terminal bağlantı torku(M10)

10.0

12.0

N·m

Montaj torku (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Çapraz sıcaklık

-40

125

°C

TSTG

Saklama sıcaklığı

-40

125

°C

wt

ağırlık

2100

g

ana hatlar

414S3