IGBT-modul 1700V

(Symbol)

(Parameter)

(Prövningsvillkor)

(value)

(enhet)

VCES

Kollektor-emitterspänning

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

I C

Kollektor-sändare ström

T = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

A

I C ((PK)

Spetsström för kollektorn

tP = 1ms

4800

A

P max

Max. transistor effektförlust

Tvj = 150°C, T-fallet = 25 °C

19.2

kW

I 2t

Diod I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

KA2s

Visol

Isoleringsspänning per modul

(gemensamma slutar till basplattan),

AC RMS,1 min, 50 Hz

4000

V

Q PD

Delutsläpp per modul

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

PC

Tcase = 25 °C T case = 25°C unless stated otherwise

(Symbol)

(Parameter)

(Prövningsvillkor)

(Min)

(typ)

(Max)

(enhet)

I CES

Kollektorns avskärmningsström

V GE = 0V, VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C

40

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C

60

mA

I GES

Gate läckström

V GE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

V GE (TH)

Porttröskelspänning

I C = 80mA, V GE = VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE (sat)(*1)

Kollektor-emitter-mättnad

Spänning

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

V

I F

Diodström framåt

DC

2400

A

I FRM

Diodens maximala framström

t P = 1ms

4800

A

VF(*1)

Diodens framåtspänning

IF = 2400A

1.65

V

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

V

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

V

- Det är sant.

Inmatningskapacitet

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

NF

Qg

Portavgift

± 15 V

19

μC

Cres

Omvänd överföringskapacitet

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

NF

L M

Modulinduktans

10

nH

R INT

Intern resistans för transistor

110

μΩ

I SC

Kortslutningsström, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

A

Avstängning

Avstängningens fördröjningstid

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

N

t f

Hösttid

500

N

E OFF

Energiförlust vid avstängning

1050

MJ

Td (på)

Tidsfördröjning för på-

450

N

t

Uppgångstid

210

N

EON

Energiförlust vid påstart

410

MJ

Qrr

Diodens återvinningsavgift

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

μC

Jag är

Diodens omvänd återvinningström

1000

A

Erec

Diodens återvinning av energi

320

MJ

Avstängning

Avstängningens fördröjningstid

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

N

t f

Hösttid

510

N

E OFF

Energiförlust vid avstängning

1320

MJ

Td (på)

Tidsfördröjning för på-

450

N

t

Uppgångstid

220

N

EON

Energiförlust vid påstart

660

MJ

Qrr

Diodens återvinningsavgift

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

μC

Jag är

Diodens omvänd återvinningström

1200

A

Erec

Diodens återvinning av energi

550

MJ

Avstängning

Avstängningens fördröjningstid

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

N

t f

Hösttid

510

N

E OFF

Energiförlust vid avstängning

1400

MJ

Td (på)

Tidsfördröjning för på-

450

N

t

Uppgångstid

220

N

EON

Energiförlust vid påstart

820

MJ

Qrr

Diodens återvinningsavgift

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

μC

Jag är

Diodens omvänd återvinningström

1250

A

Erec

Diodens återvinning av energi

620

MJ