Y50KFG, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

T j (℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

jag T (AV )

Medel påslagsström

180。halv sinusvåg 50Hz Dubbel sidoskyddad,

T C =55℃

125

1200

A

T C =70℃

125

1000

A

V DRM

Upprepande topp avstängningsspänning

tp=10ms

125

2000

3000

V

V RRM

Upprepande topp omvänd spänning

1000

2500

jag DRM /IRRM

Upprepande spetsström

vid V DRM /VRRM

125

80

mA

jag TSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinus våg V R =0.6 V RRM

125

16

kA

jag 2T

jag 2T för fusion samordning

1280

103A 2S

V till

Tröskelspänning

125

1.55

V

R T

Påslags lutningsmotstånd

0.40

mΩ

V TM

Topp påslags spänning

jag TM =3000A, F=24kN

20≤ Tq ≤ 35

25

2.80

V

36≤ Tq ≤ 60

2.60

V

61≤ Tq ≤ 75

2.40

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängd Spänning

V dm =0.67 V DRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av påslagen Nuvarande (Icke-repetitiv)

V dm = 67% V DRM till 1600A,

Gate-puls t R ≤0.5μs jag GM =1.5A

125

1500

A/μs

Q rr

återställningsladdning

jag TM =1000A ,tp=4000µs, di/ dt=-20A/µs, V R =100V

125

750

µC

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

jag TM =1000A ,tp=4000µs, V R =100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

100

20

75

µs

jag GT

Portutlösningsström

V A =12V, jag A =1A

25

40

300

mA

V GT

Portutlösningsspänning

0.9

3.0

V

jag H

Hållström

20

500

mA

jag L

Låsningsström

500

mA

V GD

Icke-utlösningsportspänning

V dm =67% V DRM

125

0.3

V

R th (j-c)

Termal motstånd Junction till hölje

Dubbel sida kyld Klämkraft 24kN

0.020

℃ /W

R th (c-h)

Termal motstånd hölje till värmeavläggare

0.005

F M

Monteringskraft

19

26

kN

T Vj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

T STG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

W T

Vikt

440

G

Översikt

KT50cT