Y89KFE, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃ )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halvsinusbölja 50Hz Dubbel sida kyld,

TC=55°C

125

4240

A

VDRM

Repetitiv toppavstängningsspänning

tp=10ms

125

1200

2000

V

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

1000

1800

V

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

250

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

46

kA

I2t

I2t för smältkoordination

10580

A2s*103

VTO

Tröskelspänning

125

1.14

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.10

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=5000A, F=70kN

15μs≤tq≤35µs

25

2.50

V

36μs≤tq≤60µs

1.80

V

61μs≤tq≤80µs

1.60

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-statsström (Icke-repetitiv)

VDM= 67% VDRM, till 4000A

Gate-puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

Återställningsladdning

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

2100

µC

tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=2000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

25

80

µs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

40

450

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.9

4.5

V

IH

Hållström

20

1000

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 1800 sinus, dubbel sida kyld klämkraft 70 kN

0.007

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans fall till kylfläns

0.002

FM

Monteringskraft

63

84

kN

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

Wt

Vikt

1390

g

Översikt

KT84cT