Y80KFG, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180。halv sinusvåg 50Hz dubbelsidigt kyld

TC=55 ℃

125

3354

A

VDRM

Repetitiv toppavstängningsspänning

tp=10ms

125

2000

3000

V

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

1000

2500

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

250

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

40

kA

I2t

I2t för smältkoordination

8000

103A2s

VTO

Tröskelspänning

125

1.30

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.14

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=5000A, F=70kN

45μs≤tq≤75µs

25

2.00

V

76μs≤tq≤100µs

1.80

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-statsström (Icke-repetitiv)

VDM= 67%VDRM,

Gate-puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

återställningsladdning

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

1000

µC

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=2000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

45

100

µs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

40

250

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.9

2.5

V

IH

Hållström

20

1000

mA

IL

Låsningsström

1500

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 180 。sinus, dubbel sida kyld klämkraft 70kN

0.0085

。C /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

0.0020

FM

Monteringskraft

63

84

kN

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

Wt

Vikt

1230

G

Översikt

KT75cT