Y76KFG, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halv sinusvåg 50Hz dubbelsidigt kyld

TC=55 。C

125

2900

A

VDRM

Repetitiv toppavstängningsspänning

tp=10ms

125

2000

3000

V

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

1000

2500

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

200

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

30

kA

I2t

I2t för smältkoordination

4500

103A2s

VTO

Tröskelspänning

125

1.27

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.15

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=5000A, F=40kN

20μs≤tq≤45µs

25

2.80

V

46μs≤tq≤60μs

2.60

V

61μs≤tq≤75μs

2.40

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-statsström (Icke-repetitiv)

VDM= 67%VDRM,

Gate-puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

återställningsladdning

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

1300

µC

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=2000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

25

75

µs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

40

250

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.9

3.0

V

IH

Hållström

20

1000

mA

IL

Låsningsström

1500

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 180 。sinus, dubbelsidigt kyld Klämkraft 40kN

0.010

。C /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

0.003

FM

Monteringskraft

35

47

kN

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

Wt

Vikt

1100

G

Översikt

KT73cT/ KT73dT