Y76KFE, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180。Halvsinusbölja 50Hz Dubbel sida kyld,

TC=55°C

125

3415

A

TC=70°C

2870

VDRM

Upprepad spikspänning vid avstängning

tp=10ms

125

800

2000

V

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

1000

1800

Idrm Irrm

Återkommande toppström

VD= VDRM VR= VRRM

125

200

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

35.6

kA

I2t

I2t för smältkoordination

6337

A2s*103

VTO

Tröskelspänning

125

1.21

V

rt

Motstånd på stateslop

0.10

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=4000A, F=40kN

15≤q≤35

25

2.20

V

36≤q≤50

2.00

V

51≤q≤75

1.80

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

VDM= 67% VDRM till 3000A

Gate-puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

återställningsladdning

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

1300

µC

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=2000A, tp=4000µs, VR =100V dv/dt=30V/µs,di/dt=-20A/µs

100

15

75

µs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

45

300

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.9

4.5

V

IH

Hållström

20

500

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 180° sinus, dubbel sida kyld klämkraft 40kN

0.010

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans fall till kylfläns

0.003

FM

Monteringskraft

35

47

kN

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

Wt

Vikt

1100/ 1460

G

Översikt

KT73cT/ KT73dT