Y70KFE, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halv sinusvåg 50Hz dubbelsidigt kyld

TC=55 ℃

125

2500

A

VDRM

Repetitiv toppavstängningsspänning

tp=10ms

125

800

2000

V

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

1000

1800

V

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

200

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

29

kA

I2t

I2t för smältkoordination

4205

103A2s

VTO

Tröskelspänning

125

1.10

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.13

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=4000A, F=32kN

15≤tq≤28

25

2.20

V

29≤tq≤50

2.00

V

51≤q≤75

1.80

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-statsström (Icke-repetitiv)

VDM= 67%VDRM,

Gatepuls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

återställningsladdning

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

μC

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

15

75

μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.9

2.5

V

IH

Hållström

20

1000

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 180 ° sinus, dubbel sida kyld klämkraft 32kN

0.012

。C /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

0.003

FM

Monteringskraft

30

40

kN

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

130

℃

Wt

Vikt

880

G

Översikt

KT60cT