Y60KFE, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halv sinusvåg 50Hz dubbelsidigt kyld

T _C =55 ℃

125

1600

A

VDRM

Repetitiv toppavstängningsspänning

tp=10ms

125

1200

2000

V

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

1000

1800

V

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

120

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

18

kA

I2t

I2t för smältkoordination

1620

103A2s

VTO

Tröskelspänning

125

1.27

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.22

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=3000A, F=28kN

20≤tq≤28

25

2.20

V

29≤tq≤50

2.00

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-statsström (Icke-repetitiv)

VDM= 67%VDRM,

Gatepuls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

återställningsladdning

ITM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

μC

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM= 1000A ,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

15

50

μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.9

2.5

V

IH

Hållström

20

500

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 180 ° sinus, dubbel sida kyld klämkraft 32kN

0.016

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

0.004

FM

Monteringskraft

27

34

kN

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

Wt

Vikt

640

G

Översikt

KT54cT