Y50ZYB, mjuk återhämtning diod

jag _T(AV)

1800A

V _RRM

800V 1000V

1200V 1400V

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

IF(AV)

Medel framåtriktad ström

180。Halvsinusbölja 50Hz Dubbel sida kyld,

Tsink=55 ℃

125

1800

A

IRRM

Återkommande toppström

vid VRRM

125

100

mA

IFSM

Överspännings framåtström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

25

kA

I2t

I2t för smältkoordination

3125

A ²s*10 ³

VFO

Tröskelspänning

125

1.150

V

RF

Framåtlutande resistans

0.138

mΩ

VFM

Topp framåtriktad spänning

@ IFM=3000A

F=24kN

25

1.70

V

@ IFM=4500A

125

1.77

VFRM

Maximalt framåtriktat återställningsspänning

di/dt=1000A/µs

125

14

V

25

10

V

IRM

Omvänd återvinningström

IFM=1000A, tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

50

A

trr

Återställningstiden

3.0

µs

Qrr

återställningsladdning

150

µC

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 180 ° sinus, dubbel-sidig kyld Klämkraft 24kN

0.021

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans fall till kylfläns

0.005

FM

Monteringskraft

19

26

kN

- Vad är det?

Driftstemperaturområde

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

150

℃

Wt

Vikt

440

G

Översikt

ZT50cT