Y100KFG, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180。halv sinusvåg 50Hz dubbelsidigt kyld

TC=55℃

125

4890

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM tp= 10ms vid VRRM tp= 10ms

125

250

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

63

kA

I2t

I2t för smältkoordination

19845

103A2s

VTO

Tröskelspänning

125

1.30

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.13

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=5000A, F=90kN

25 μs≤tq≤45 μs

25

2.50

V

46 μs≤tq≤75 μs

1.80

V

76 μs≤tq≤100 μs

1.60

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-statsström (Icke-repetitiv)

VDM= 67%VDRM,

Gatepuls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

återställningsladdning

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V

125

2100

μC

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=2000A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

25

100

μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.9

2.5

V

IH

Hållström

20

1000

mA

IL

Låsningsström

1500

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 180 ° Sinus, dubbelsidig kylning Klammkraft 90kN

0.0050

。C /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

0.0015

FM

Monteringskraft

81

108

kN

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

Wt

Vikt

2000/ 2500

G

Översikt

KT100cT/KT100dT