TG1800HF17H1-S500,IGBT Modul,Halvbrücka IGBT,CRRC

Symbol Symbol

参数名称 Parameter

testvillkor

Testförhållanden

数值 värde

Enhet enhet

V CES

集电极 -Utgångsspänning

Kollektor-emitterspänning

V Generella = 0V, T C = 25 °C

1700

V

V GES

Gitter -Utgångsspänning

Gate-emitter spänning

T C = 25 °C

± 20

V

jag C

Kollektorström

Kollektor-sändare ström

T C = 85 °C, T Vj max = 175°C

1800

A

jag C(PK)

集电极峰值电流

Spetsström för kollektorn

T P =1 ms

3600

A

P max

Max. transistorförlust

Max. strömförlust från transistorn

T Vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kW

jag 2T

Diod jag 2T Värde Diod jag 2T

V R =0V, T P = 10 ms, T Vj = 175 °C

551

kA 2S

V isol

Isoleringsspänning (模块 )

Isolering Spänning - för Modul

短接 alla änds, änds och basplatts mellan. ( Ansluten terminal s till basplatta), AC RMS1 Min, 50 Hz, T C = 25 °C

4000

V

Parametrar Symbol

beskrivning

Förklaring

Värde värde

Enhet enhet

Krypavstånd

Krypavstånd

terminal -kylare

Terminal till Värmesänkande

36.0

mm

terminal -terminal

Terminal till terminal

28.0

mm

Isoleringsavstånd Spel

terminal -kylare

Terminal till Värmesänkande

21.0

mm

terminal -terminal

Terminal till terminal

19.0

mm

relativ spårningsindex

CTI (Comparative Tracking Index)

>400

Symbol Symbol

参数名称 Parameter

testvillkor

Testförhållanden

Minsta värde Min.

典型值 Typ.

Maximala värde Max.

Enhet enhet

R Förteckning över de behöriga myndigheterna IGBT

IGBT Junction-hölje termisk resistans

Termal motstånd – IGBT

16

K / kW

R Förteckning över de behöriga myndigheterna Diod

Diodens termiska resistans

Termal motstånd – Diod

33

K / kW

R Första stycket IGBT

Kontakttermisk resistans (IGBT)

Termal motstånd –

hölje till köldjärn (IGBT)

Installationsmoment 5Nm, Termisk pasta 1W/m·K Monteringsmoment 5Nm,

med Montering fett 1W/m·K

14

K / kW

R Första stycket Diod

Kontakttermisk resistans (Diode)

Termal motstånd –

hölje till köldjärn (Diode)

Installationsmoment 5Nm, Termisk pasta 1W/m·K Monteringsmoment 5Nm,

med Montering fett 1W/m·K

17

K / kW

T vjop

工作结温

Driftsammanhang Temperatur

IGBT chip ( IGBT )

-40

150

°C

diodechip ( Diode )

-40

150

°C

T STG

Lagringstemperatur

Lagrings temperaturintervall

-40

150

°C

M

Installationsmoment

Skruvmoment

För installationsfäste – M5 Montering – M5

3

6

Nm

För kretskoppling – M4

Elektriska anslutningar – M4

1.8

2.1

Nm

För kretskoppling – M8

Elektriska anslutningar – M8

8

10

Nm

Symbol Symbol

参数名称 Parameter

testvillkor

Testförhållanden

Minsta värde Min.

典型值 Typ.

Maximala värde Max.

Enhet enhet

R Förteckning över de behöriga myndigheterna IGBT

IGBT Junction-hölje termisk resistans

Termal motstånd – IGBT

16

K / kW

R Förteckning över de behöriga myndigheterna Diod

Diodens termiska resistans

Termal motstånd – Diod

33

K / kW

R Första stycket IGBT

Kontakttermisk resistans (IGBT)

Termal motstånd –

hölje till köldjärn (IGBT)

Installationsmoment 5Nm, Termisk pasta 1W/m·K Monteringsmoment 5Nm,

med Montering fett 1W/m·K

14

K / kW

R Första stycket Diod

Kontakttermisk resistans (Diode)

Termal motstånd –

hölje till köldjärn (Diode)

Installationsmoment 5Nm, Termisk pasta 1W/m·K Monteringsmoment 5Nm,

med Montering fett 1W/m·K

17

K / kW

T vjop

工作结温

Driftsammanhang Temperatur

IGBT chip ( IGBT )

-40

150

°C

diodechip ( Diode )

-40

150

°C

T STG

Lagringstemperatur

Lagrings temperaturintervall

-40

150

°C

M

Installationsmoment

Skruvmoment

För installationsfäste – M5 Montering – M5

3

6

Nm

För kretskoppling – M4

Elektriska anslutningar – M4

1.8

2.1

Nm

För kretskoppling – M8

Elektriska anslutningar – M8

8

10

Nm

Symbol Symbol

参数名称 Parameter

testvillkor

Testförhållanden

Minsta värde Min.

典型值 Typ.

Maximala värde Max.

Enhet enhet

R 25

Nominell resistansvärde

Nominal motstånd

T C = 25 °C

5

kΩ

△ R /R

R100 avvikelse

Avvikelse från R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

dissiperingseffekt

Effektbegränsning

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

- Jag är inte... Värde

B-värde

R 2 = R 25exp [B 25/50 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

k

B 25/80

- Jag är inte... Värde

B-värde

R 2 = R 25exp [B 25/80 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

k

B 25/100

- Jag är inte... Värde

B-värde

R 2 = R 25exp [B 25/100 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

k

Symbol Symbol

参数名称 Parameter

Villkor

Testförhållanden

Minsta värde Min.

典型值 Typ.

Maximala värde Max.

Enhet enhet

jag CES

Kollektoravstängningsström

Kollektorns avskärmningsström

V Generella = 0V, V ce = V CES

1

mA

V Generella = 0V, V ce = V CES , T Vj =150 °C

40

mA

V Generella = 0V, V ce = V CES , T Vj =175 °C

60

mA

jag GES

Gates läckström

Port läckström

V Generella = ± 20 V, V ce = 0V

0.5

μA

V Generella (TH)

Gitter -Emittatortröskelspänning Porttröskelspänning

jag C = 60mA, V Generella = V ce

5.1

5.7

6.3

V

V ce (satt) *1)

集电极 -Emittatorsatureringsspänning

Kollektor-emitter-mättnad

Spänning

V Generella =15V, jag C = 1800A

1.70

V

V Generella =15V, jag C = 1800A, T Vj = 150 °C

2.10

V

V Generella =15V, jag C = 1800A, T Vj = 175 °C

2.15

V

jag F

Diodens framåtriktade likströmsström Diodström framåt

DC

1800

A

jag Från och med den 1 januari

Diodens framåtriktade upprepade toppström Diod maximal framåt ström nt

T P = 1 ms

3600

A

V F *1)

Diodens framåtriktade spänning

Diodens framåtspänning

jag F = 1800A, V Generella = 0

1.60

V

jag F = 1800A, V Generella = 0, T Vj = 150 °C

1.75

V

jag F = 1800A, V Generella = 0, T Vj = 175 °C

1.75

V

jag SC

Kortslutningsström

Kortslutning Nuvarande

T Vj = 175°C, V CC = 1000 V, V Generella ≤ 15 V, T P ≤ 10 μs,

V CE(max) = V CES – L (i) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C ies

Ingångskapacitans

Inmatningskapacitet

V ce = 25 V, V Generella = 0V, F = 100kHz

542

NF

Q G

Gate-laddning

Portavgift

± 15 V

23.6

μC

C res

Omvänd överföringskapacitans

Omvänd överföringskapacitet

V ce = 25 V, V Generella = 0V, F = 100kHz

0.28

NF

L sCE

Modulstray induktans

Modul stray induktans ce

8.4

nH

R CC + EE ’

Modulkontakttillstånd, terminal -chip M Modulkontakt Motstånd terminal-chip

Per switch

per switch

0.20

mΩ

R Gint

Intern Gateresistor

Inre port Resistans

1

Ω

Symbol Symbol

参数名称 Parameter

testvillkor

Testförhållanden

Minsta värde Min.

典型值 Typ.

Maximala värde Max.

Enhet enhet

T d(off)

avstängningsfördröjning

Avstängningens fördröjningstid

jag C =1800A,

V ce = 900V,

V Generella = ± 15 V, R G(OFF) = 0.5Ω, L S = 25nH,

D V ⁄dt =3800V⁄μs (T Vj = 150 °C).

T Vj = 25 °C

1000

N

T Vj = 150 °C

1200

T Vj = 175 °C

1250

T F

Nedgångstid Hösttid

T Vj = 25 °C

245

N

T Vj = 150 °C

420

T Vj = 175 °C

485

E Avstängd

关断损耗

Energiförlust vid avstängning

T Vj = 25 °C

425

MJ

T Vj = 150 °C

600

T Vj = 175 °C

615

T d(on)

开通延迟时间

Tidsfördröjning för på-

jag C =1800A,

V ce = 900V,

V Generella = ± 15 V, R G(ON) = 0.5Ω, L S = 25nH,

D jag ⁄dt = 8500A⁄μs (T Vj = 150 °C).

T Vj = 25 °C

985

N

T Vj = 150 °C

1065

T Vj = 175 °C

1070

T R

Uppgångstid Uppgångstid

T Vj = 25 °C

135

N

T Vj = 150 °C

205

T Vj = 175 °C

210

E på

Påslagningsförlust

Slå-på energi Förlust

T Vj = 25 °C

405

MJ

T Vj = 150 °C

790

T Vj = 175 °C

800

Q rr

Diodens omvända återställningsladdning Diod omvänd

återställningsladdning

jag F =1800A, V ce = 900V,

- d jag F /dt = 8500A⁄μs (T Vj = 150 °C).

T Vj = 25 °C

420

μC

T Vj = 150 °C

695

T Vj = 175 °C

710

jag rr

Diodens omvända återställningsström Diod omvänd

återställningsström

T Vj = 25 °C

1330

A

T Vj = 150 °C

1120

T Vj = 175 °C

1100

E rec

Diodens omvända återställningsförlust Diod omvänd

återställningsenergi

T Vj = 25 °C

265

MJ

T Vj = 150 °C

400

T Vj = 175 °C

420