Snabb återhämtning diode moduler

VRRM

Typ & Kontur

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

1800V

MZx75-06-216F3

MZx75-08-216F3

MZx75-10-216F3

MZx75-12-216F3

MZx75-14-216F3

MZx75-16-216F3

MZx75-18-216F3

MZ75-18-216F3G

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

värde

enhet

min

Typ

max

IF(AV)

Medel framåtriktad ström

180° halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kyld, TC=85 ℃

140

75

A

IF(RMS)

RMS framåtriktad ström

118

A

IRRM

Återkommande toppström

vid VRRM

140

20

mA

IFSM

Överspännings framåtström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

140

2.0

kA

I2t

I2t för smältkoordination

20

10³A ²s

VFO

Tröskelspänning

140

1.10

V

rF

Framåtlutande resistans

3.00

M

VFM

Topp framåtriktad spänning

IFM=225A

25

2.00

V

trr

Återställningstiden

IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V

140

3.0

μs

25

2.0

μs

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.310

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.080

℃ /W

FM

Terminalanslutningstorque (M6)

4.5

6.0

N·m

Monteringsmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

140

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

320

G

Översikt

216F3