600V~1800V,415F3
Produktbroschyr:LADDNING NER
Kort introduktion
Snabb återhämtning diode moduler , MZ x25 0,Luftkylning ,producerad av TECHSEM .
VRRM | Typ & Kontur |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V 1800V | MZx250-06-415F3 MZx250-08-415F3 MZx250-10-415F3 MZx250-12-415F3 MZx250-14-415F3 MZx250-16-415F3 MZx250-18-415F3 MZ250-18-415F3G |
MZx står för vilken typ som helst av MZC, MZA, MZK
Funktioner ：
Typiska Tillämpningar ：
Symbol |
Egenskap |
Testförhållanden | Tj( ℃ ) | värde |
enhet | ||
min | Typ | max | |||||
IF(AV) | Medel framåtriktad ström | 180° halv sinusvåg 50Hz Ensidigt kyld, TC=85 ℃ |
140 |
|
| 250 | A |
IF (RMS) | RMS framåtriktad ström |
|
| 392 | A | ||
IRRM | Återkommande toppström | vid VRRM | 140 |
|
| 70 | mA |
IFSM | Överspännings framåtström | 10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM |
140 |
|
| 6.2 | kA |
jag 2t | I2t för smältkoordination |
|
| 192 | 103A 2s | ||
VFO | Tröskelspänning |
|
140 |
|
| 1.08 | V |
rF | Framåtlutande resistans |
|
| 0.35 | M | ||
VFM | Topp framåtriktad spänning | IFM=750A | 25 |
|
| 1.55 | V |
trr | Återställningstiden | IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V | 140 |
| 4 |
| μs |
25 |
| 3 |
| μs | |||
Rth(j-c) | Termisk resistans från junction till hölje | Ensidigt kyld per chip |
|
|
| 0.150 | ℃ /W |
Rth(c-h) | Termisk resistans hölje till kylfläns | Ensidigt kyld per chip |
|
|
| 0.040 | ℃ /W |
VISO | Isoleringsspänning | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| V |
FM | Terminalanslutningstork (M10) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N·m |
Monteringsmoment (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | |
Tvj | sammanslagningstemperatur |
|
| -40 |
| 140 | ℃ |
TSTG | Lagringstemperatur |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Wt | Vikt |
|
|
| 1260 |
| G |
Översikt | 415F3 | ||||||
Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.
EN
