MTx800 MFx800 MT800,Tyristor/diodmoduler,luftkylning

800A,2000V-2500V,410F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx800 MFx800 MT800

Kort introduktion

Thyristor/ Diodmodul , MTx 800 MFx 800 MT 800，800A ,luft Kylning ，producerad av TECHSEM .

MTx står för typ av MTC, MTA, MTK

MFx står för all typ E av MFC, MFA, MFK

Funktioner

Typiska Tillämpningar

Symbol	Egenskap	Testförhållanden	Tj( ℃ )	värde			enhet
Symbol	Egenskap	Testförhållanden	Tj( ℃ )	min	TYP	max	enhet
IT(AV)	Medel påslagsström	180° halv sinusvåg 50Hz Ensidig kylning, TC=70 ℃	125			800	A
IT ((RMS)	RMS på-läget ström	180° halv sinusvåg 50Hz Ensidig kylning, TC=70 ℃	125			1256	A
Idrm Irrm	Återkommande toppström	vid VDRM vid VRRM	125			45	mA
ITSM	Överspännings påslagsström	VR=60%VRRM,t=10ms halvsinus,	125			22.0	kA
I2t	I2t för smältkoordination	VR=60%VRRM,t=10ms halvsinus,	125			2420	103A2s
VTO	Tröskelspänning		125			0.80	V
rt	Påslags lutningsmotstånd		125			0.24	mΩ
VTM	Topp påslags spänning	ITM=2400A	25			1.68	V
dv/dt	Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström	Gate källa 1.5A tr ≤0.5μs Repetitiv	125			200	A/μs
IGT	Portutlösningsström	VA=12V, IA=1A	25	30		200	mA
Vgt	Portutlösningsspänning			0.8		3.0	V
IH	Hållström			10		200	mA
IL	Låsningsström					1500	mA
VGD	Icke-utlösningsportspänning	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Termisk resistans från junction till hölje	Ensidigt kyld per chip				0.048	℃ )/W
Rth(c-h)	Termisk resistans hölje till kylfläns	Ensidigt kyld per chip				0.020	℃ )/W
VISO	Isoleringsspänning	50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)		3000			V
FM	Topp för terminalanslutning ((M12)			12.0		16.0	N·m
FM	Monteringsmoment ((M8)			10.0		12.0	N·m
Tvj	sammanslagningstemperatur			-40		125	℃ )
TSTG	Lagringstemperatur			-40		125	℃ )
Wt	Vikt				3310		G
Översikt	410F3