MTG200,MTY200,Tyristormoduler ((Oisolerad typ)),TECHSEM

800V~1800V,213F4

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTG200/MTY200

Appurtenance:

Produktbroschyr:Ladda ner

Kort introduktion

Tyristor moduler (Icke-isolerad typ) ,MTG200 ,MTY200 ,producerad av TECHSEM .

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTx200-08-213F4 MTx200-10-213F4 MTx200-12-213F4 MTx200-14-213F4 MTx200-16-213F4 MTx200-18-213F4

MFx200-08-213F4 MFx200-10-213F4 MFx200-12-213F4 MFx200-14-213F4 MFx200-16-213F4 MFx200-18-213F4

MTx står för någon typ av MTG, MTY

MFx står för någon typ av MFG, MFY

Funktioner ：

Typiska Tillämpningar ：

Symbol	Egenskap	Testförhållanden	Tj( ℃ )	värde			enhet
Symbol	Egenskap	Testförhållanden	Tj( ℃ )	min	TYP	max	enhet
IT(AV)	Medel påslagsström	180° halv sinusvåg 50Hz Ensidigt kyld, TC=90 ℃	125			200	A
IT ((RMS)	RMS på-läget ström	180° halv sinusvåg 50Hz Ensidigt kyld, TC=90 ℃	125			314	A
Idrm Irrm	Återkommande toppström	vid VDRM vid VRRM	125			20	mA
ITSM	Överspännings påslagsström	VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus	125			5.2	kA
I2t	I2t för smältkoordination	VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus	125			135	10³A ²S
VTO	Tröskelspänning		125			0.80	V
rt	Påslags lutningsmotstånd		125			1.15	mΩ
VTM	Topp påslags spänning	ITM=600A	25			1.62	V
dv/dt	Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström	Gate källa 1.5A tr ≤0.5μs Repetitiv	125			100	A/μs
IGT	Portutlösningsström	VA=12V, IA=1A	25	30		150	mA
Vgt	Portutlösningsspänning			0.8		2.5	V
IH	Hållström			10		180	mA
IL	Låsningsström					1000	mA
VGD	Icke-utlösningsportspänning	VDM=67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Termisk resistans från junction till hölje	Vid 180 。sine, Ensidigt kyld per chip				0.13	℃ /W
Rth(c-h)	Termisk resistans hölje till kylfläns	Vid 180 ° sine, Ensidigt kyld per chip				0.10	℃ /W
FM	Terminalanslutningstorque (M6)			4.5		6.0	N·m
FM	Monteringsmoment (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	sammanslagningstemperatur			-40		125	℃
TSTG	Lagringstemperatur			-40		125	℃
Wt	Vikt				280		G
Översikt	213F4