Svetsning tyristor/likriktarmodul

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

värde

enhet

min

Typ

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halvsinusböljan 50Hz Ensidigt kyld, Tc=85 ℃

125

160

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

125

251

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

40

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halvsinusböljan VR=60%VRRM

125

3.8

kA

jag ²t

I2t för smältkoordination

72.2

A ²s*10 ³

VTO

Tröskelspänning

125

0.85

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

1.50

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=480A

25

1.80

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.6

2.5

V

IH

Hållström

10

250

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.17

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.08

℃ /W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Terminalanslutningstorque (M6)

2.5

4.0

N·m

Monteringsmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

165

G

Översikt

229H3 、229H3B