Snabbavstängande tyristormoduler

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

600V

MKx150-06-413F3D

MHx150-06-413F3D

800V

MKx150-08-413F3D

MHx150-08-413F3D

1000V

MKx150-10-413F3D

MHx150-10-413F3D

1200V

MKx150-12-413F3D

MHx150-12-413F3D

1400V

MKx150-14-413F3D

MHx150-14-413F3D

1600V

MKx150-16-413F3D

MHx150-16-413F3D

1800V

MKx150-18-413F3D

MHx150-18-413F3D

1800V

MK150-18-413F3DG

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

värde

enhet

min

Typ

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° Halv sinusvåg 50 Hz Enkel sida kyld,Tc=85 ℃

125

150

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

236

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

50

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halvsinusböljan VR=60%VRRM

125

3.4

kA

I2t

I2t för smältkoordination

58

10³A ²s

VTO

Tröskelspänning

125

1.78

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.70

M

VTM

Topp påslags spänning

ITM=450A

25

2.65

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

180

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

2.5

V

IH

Hållström

20

200

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.130

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.030

℃ /W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

FM

Terminalanslutning vridmoment(M8)

10.0

12.0

N·m

Monteringsmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

770

G

Översikt

413F3D