Svetsning tyristor/likriktarmodul

VDSM,VRSM

VDRM, VRRM

Typ & Kontur

900V

800V

MFC90-08-224H3

1100V

1000V

MFC90-10-224H3

1300V

1200V

MFC90-12-224H3

1500V

1400V

MFC90-14-224H3

1700V

1600V

MFC90-16-224H3

1900V

1800V

MFC90-18-224H3

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

värde

enhet

min

Typ

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kyld, Tc =85 ℃

125

90

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

125

141

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

20

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halvsinusböljan VR=60%VRRM

125

1.9

kA

I2t

I2t för smältkoordination

18.1

A ²s*10 ³

VTO

Tröskelspänning

125

0.70

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

3.01

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=270A

25

1.80

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.6

2.5

V

IH

Hållström

10

250

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.28

。C /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.15

。C /W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Termisk anslutningsmoment(M5)

2.5

4.0

N·m

Monteringsmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

100

G

Översikt

224H3