MDx200,Diodmoduler(Icke-isolerad typ) ,TECHSEM

VRRM

Typ & Kontur

800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V

MDx200-08-213F4 MDx200-10-213F4 MDx200-12-213F4 MDx200-14-213F4 MDx200-16-213F4 MDx200-18-213F4

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( 。C)

värde

enhet

min

TYP

max

IF(AV)

Medel framåtriktad ström

180° halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kyld, TC=100 ℃

150

200

A

IF(RMS)

RMS framåtriktad ström

314

A

IRRM

Återkommande toppström

vid VRRM

150

20

mA

IFSM

Överspännings framåtström

VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus

150

6.2

kA

I2t

I2t för smältkoordination

192

103A2s

VFO

Tröskelspänning

150

0.80

V

RF

Framåtlutande resistans

0.96

M Åh

VFM

Topp framåtriktad spänning

IFM=600A

25

1.50

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 180 ° sinusformad. Ensidigt kyld per chip

0.20

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Vid 180 ° sinusformad. Ensidigt kyld per chip

0.10

℃ /W

FM

Terminalanslutningstorque (M6)

4.5

6.0

N ·M

Monteringsmoment (M6)

4.5

6.0

N ·M

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

150

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

280

G

Översikt

213F4