IGBT-modul 4500V

Parameter/参数

Symbol/符号

Villkor/条件

min

max

enhet

Kollektor-emitterspänning 集电极 -发射极电压

V CES

V Generella =0V,T Vj ≥25°C

4500

V

Samlar av likström Nuvarande Kollektorström

jag C

t C =80°C

650

A

Peak samlare Nuvarande 集电极峰值电流

jag CM

tp=1ms,Tc=80°C

1300

A

Gate-emitter spänning 栅极发射极电压

V GES

-20

20

V

Total Effektbegränsning 总功率损耗

P för

t C =25°C,perswitch(IGBT)

6670

W

Samma ström framåt DC framåtriktad ström

jag F

650

A

Spetsström framåt Peak framåtriktad ström

jag Från och med den 1 januari

tP=1ms

1300

A

Överspänning Nuvarande 浪涌电流

jag FSM

V r =0V,T Vj =125°C,tp=10ms, halv-sinusvåg

5300

A

IGBT kort KRETS SOA IGBT kortslutningssäker arbetsområde

t PSC

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤ 4500 V V Generella ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

Isoleringsspänning Isoleringsspänning

V isol

1min,f=50Hz

10200

V

sammanslagningstemperatur Kopplingstemperatur

t Vj

150

℃

Junction drift temp eratur 工作结温

t vj(op)

-50

125

℃

Hyllestemperatur hölje temp

t C

-50

125

℃

Lagringstemperatur Lagringstemperatur

t STG

-50

125

℃

Monteringsmoment Installationsmoment

M s

4

6

Nm

M t 1

8

10

M t 2

2

3

Parameter/参数

Symbol/符号

Villkor/条件

min

Typ

max

enhet

Samlar (- emitter) genombrott Spänning

集电极 -发射极阻断电压

V (BR) CES

V Generella =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Kollektor-emitter-mättnad Spänning

集电极 -发射极饱和电压

V CEsat

jag C =650A, V Generella =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

Samlare avstängd Nuvarande Kollektoravstängningsström

jag CES

V ce =4500V, V Generella =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Port läckström Gates läckström

jag GES

V ce =0V,V Generella =20V, t Vj =125°C

-500

500

NA

Gränsspänning för utgivare 栅极发射极阀值电压

V GE(th)

jag C =160mA,V ce =V Generella , t Vj =25°C

4.5

6.5

V

Port laddning Gate-laddning

Q G

jag C =650A,V ce =2800V, V Generella =-15V … 15V

5.4

µC

Inmatningskapacitet Ingångskapacitans

C ies

V ce =25V,V Generella =0V, f=1MHz,T Vj =25°C

71.4

NF

Utgångskapacitet utgångskapacitans

C Övriga

4.82

Omvänd överföringskapacitet omvänd överföringskapacitans

C res

1.28

Turn-on fördröjning Tid 开通延迟时间

t d(on)

V CC =2800V,

jag C =650A,

r G =2.2 Ω ,

V Generella =± 15 V,

L σ =280nH,

Induktiv belastning

Tvj = 25 °C

420

N

Tvj = 125 °C

528

Uppgångstid Uppgångstid

t r

Tvj = 25 °C

160

Tvj = 125 °C

190

Avstängningens fördröjningstid avstängningsfördröjning

t D (Avstängd )

Tvj = 25 °C

2100

N

Tvj = 125 °C

2970

Hösttid Nedgångstid

t F

Tvj = 25 °C

1600

Tvj = 125 °C

2760

Slå på växling förlustenergi Turn-on förlust energi

E på

Tvj = 25 °C

1000

MJ

Tvj =125 °C

1600

Avstängning förlustenergi avstängningsförlust energi

E Avstängd

Tvj = 25 °C

2000

MJ

Tvj =125 °C

2740

Kortslutning Nuvarande Kortslutningsström

jag SC

t PSC ≤ 10μ s, V Generella =15V, t Vj = 125°C,V CC = 3400V

3940

A

Parameter/参数

Symbol/符号

Villkor/条件

min

Typ

max

enhet

Framspänning Strömtryck

V F

jag F =650A

Tvj = 25 °C

3.2

V

Tvj = 125 °C

3.6

omvänd återställningsström Omvänd återställningsström

jag rr

V CC =2800V,

jag C =650A,

r G =2.2 Ω ,

V Generella =± 15 V,

L σ =280nH,

Induktiv belastning

Tvj = 25 °C

1200

A

Tvj = 125 °C

1300

A

Återkrävt avgift återställningsladdning

Q rr

Tvj = 25 °C

450

µC

Tvj = 125 °C

550

µC

omvänd återhämtningstid omvänd återställningstid

t rr

Tvj = 25 °C

660

N

Tvj = 125 °C

750

omvänd återställningsenergi Omvänd återställningsenergi

E rec

Tvj =25 °C

720

MJ

Tvj = 125 °C

860