IGBT-modul 6500V

Parameter

Symbol

Villkor

min

max

enhet

Samlare-utgivare Spänning

VCES

VGenerella=0V,TVj ≥ 25°C

6500

V

DC kollektorström

jagC

tC =80°C

250

A

Spetsström för kollektorn

jagCM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

Gate-emitter spänning

VGES

-20

20

V

Total effekt Dissipation

Pför

tC=25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

Samma ström framåt

jagF

250

A

Spets framåt Nuvarande

jagFrån och med den 1 januari

tP=1ms

500

A

IGBT kort KRETS SOA

tPSC

VCC =4400V,VCEMCHIP ≤ 6500V VGenerella≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μs

Isoleringsspänning

Visol

1min,f=50Hz

10200

V

sammanslagningstemperatur

tVj

125

℃

Junction driftstemperatur

tvj(op)

-50

125

℃

Hyllestemperatur

tC

-50

125

℃

Lagringstemperatur

tSTG

-50

125

℃

Monteringsmoment

ms

4

6

Nm

Mt1

8

10

Parameter

Symbol

Villkor

min

Typ

max

enhet

Samlar (- emitter) genomsläppsspänning

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

Samlare-utgivare mättnad Spänning

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

Samlar avstängningsström

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj=125°C

50

mA

Port läckström

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

NA

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

V GE(th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

Tidsfördröjning för på-

td(on)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=± 15 V,

Ls=280nH,

Induktiv belastning

Tvj = 25 °C

1

μ s

Tvj = 125 °C

0.94

Stiga Tid

t

Tvj = 25 °C

0.76

Tvj = 125 °C

0.81

Avstängningens fördröjningstid

td(off)

Tvj = 25 °C

3.9

μ s

Tvj = 125 °C

4.2

Hösttid

tF

Tvj = 25 °C

2.2

Tvj = 125 °C

2.8

Slå på växling förlustenergi

EON

Tvj = 25 °C

3081

MJ

Tvj = 125 °C

3900

Avstängning förlustenergi

EAvstängd

Tvj = 25 °C

2100

MJ

Tvj = 125 °C

1236

Kort kretsström

jagSC

tpsc ≤ 10 μm s, V Generella

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

Tvj = 125 °C

940

A