Alla kategorier

IGBT-modul 3300V

IGBT-modul 3300V

Hemsida /  Produkter /  IGBT-modul /  IGBT-modul 3300V

YMIF1500-33 | I1-03, IGBT-modul, Enstaka växel IGBT, 48mm, CRRC

3300V 1500A, 48mm

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF1500-33 | I1-03
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion:

Högspännings, enkel switch IGBT-moduler producerade av CRRC. 3300V 1500A.

Typiska Tillämpningar

  • Traktionsdrivare
  • Motorkontrollen
  • Smart Grid
  • Hög tillförlitlighet Inverter

Funktioner

  • AlSiC Basplatta
  • AIN-substrat
  • Hög termisk cykelförmåga
  • 10 μs Kortslutning motstå
  • Låg växelförlust enhet
  • Hög strömdifthet

Absolut Maximal Betyg

parametrar

symbol

villkor

minsta värde

maximala värde

enhet

gate-emitter kortslutning kollektor emitter-kollektor spänning

V CES

V Generella =0V, T vj 25°C

3300

V

kollektorström

Jag C

T c =100°C Tvj=150°C

1500

A

maximal kollektor toppström

Jag CM

t p =1 ms

3000

A

kollektor-emitter kortslutning gate emitter-kollektor spänning

V GES

-20

20

V

total dissipationskraft

P för

T c =25°C,Tvj=150°C

15600

W

diod framåtriktad genomsnittlig ström

Jag F

1500

A

diod framåtriktad repetitiv toppström

Jag Från och med den 1 januari

3000

A

diod Jag 2t värde

Jag 2t

V R =0V, T vj =150°C, t p =10 ms ,sinus halvvåg

720

kA 2s

kortslutningssäker arbetsområde

t pSC

V CC =2500V,V Generella 15V,T vj = 150°C

10

µs

isoleringsspänning

V isol

1min,f=50Hz

10200

V

kopplingstemperatur

T vj

150

°C

lagringstemperatur

T sTG

-40

150

°C

kortslutningsström

Jag SC

t pSC ≤10μs, V Generella =15V, T vj =150°C, V CC =2500V,

5800

A

parasitisk induktans

L σ Ce

10

nH

installationsmoment

M s

mellan basplatta och kylare M6 skruv

4

6

Nm

M t1

huvud elektrod M8 skruv

8

10

M t2

hjälpelektrod M4 skruv

2

3

IGBT Karakteristik

parametrar

symbol

villkor

minsta värde

egenskapsvärde

maximala värde

enkel enhet

gate-emitter kortslutning kollektor-emitter spänning

V (BR )CES

V Generella =0V, Jag C =10 mA ,T vj =25°C

3300

V

kollektor-emitter mättad spänning

V CEsat

Jag C =1500A,V Generella =15V

T vj =25°C

24

2.9

V

T vj =125°C

2.95

3.4

V

T vj =150°C

3.1

3.6

kollektoravstängningsström

Jag CES

V Ce =3300V,V Generella =0V

T vj =25°C

1

mA

T vj =125°C

90

mA

T vj =150°C

150

gates läckström

Jag GES

V Ce =0V, V Generella = ± 20V, T vj =125°C

1

uA

gate-emitter tröskelspänning

V Generella (th )

Jag C =240 mA ,V Ce = V Generella ,T vj =25°C

5.5

7

V

gate-laddning

Q G

Jag C =1500A,V Ce =1800V, V Generella =-15V..15V

25

µC

ingångskapacitans

C ies

V Ce =25V,V Generella =0V,f=1MHz, T vj =25°C

260

nF

omvänd överföringskapacitans

C res

6

påslag fördröjning

t d(on)

V CC =1800V,I C =1500A,

V Generella =±15V,Cge=330nF,

R G =1.0 ω ,R G avstängd =1.5 ω ,

L σ =150nH,

induktiv belastning

T vj =25°C

750

n

T vj =125°C

730

T vj =150°C

730

uppgångstid

t r

T vj =25°C

340

T vj =125°C

360

T vj =150°C

360

avstängningsfördröjning

t d(off)

V CC =1800V,I C =1500A,

V Generella =±15V,Cge=330nF,

R G =1.0 ω ,R G avstängd =1.5 ω ,

L σ =150nH,

induktiv belastning

T vj =25°C

2100

n

T vj =125°C

2250

T vj =150°C

2290

nedgångstid

t f

T vj =25°C

540

T vj =125°C

570

T vj =150°C

580

påslagsenergi

E

V CC =1800V,I C =1500A,

V Generella =±15V,Cge=330nF,

R G =1.0 ω ,R G avstängd =1.5 ω ,

L σ =150nH,

induktiv belastning

T vj =25°C

1450

mJ

T vj =125°C

1900

T vj =150°C

2100

avstängningsenergi

E avstängd

V CC =1800V,I C =1500A,

V Generella =±15V,Cge=330nF,

R G =1.0 ω ,R G avstängd =1.5 ω ,

L σ =150nH,

induktiv belastning

T vj =25°C

2400

mJ

T vj =125°C

2950

T vj =150°C

3200

Diod Karakteristik

parametrar

symbol

villkor

minsta värde

egenskapsvärde

maximala värde

enhet

diodens framåtriktade genomsnittliga spänning

V F

Jag F =1500A

T vj =25°C

2.15

2.6

V

T vj =125°C

2.25

2.7

T vj =150°C

2.25

2.7

omvänd återställningsström

Jag rr

V CC =1800V,

Jag C =1500A,

d iF /dt=4800A/

uS

T vj =25°C

1250

A

T vj =125°C

1420

A

T vj =150°C

1150

omvänd återställningsladdning

Q rr

T vj =25°C

880

µC

T vj =125°C

1800

µC

T vj =150°C

1980

omvänd återställningsenergi

E rec

T vj =25°C

1550

mJ

T vj =125°C

2450

T vj =150°C

2720

Översikt

image(902cc9d13e).png

Få en gratis offert

Vår representant kommer att kontakta dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAT PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett erbjudande

Få en gratis offert

Vår representant kommer att kontakta dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000