IGBT-modul 3300V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

värde

enhet

VCES

Kollektor-emitterspänning

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

V

VGES

Gate-emitter spänning

TC= 25 °C

± 20

V

IC

Kollektor-sändare ström

TC = 100 °C

250

A

IC(PK)

Spetsström för kollektorn

tP=1ms

500

A

Pmax

Max. strömförlust från transistorn

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

kW

I2t

Diod I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

KA2s

Visol

Isoleringsspänning - per modul

(Gemensamma terminaler till basplatta), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

6

kV

QPD

Delvis urladdning - per modul

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

PC

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

ICES

Kollektorns avskärmningsström

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Gate läckström

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Porttröskelspänning

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat)(*1)

Kollektor-emitter-mättnad Spänning

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Diodström framåt

DC

250

A

IFRM

Diodens toppström framåt

tP = 1ms

500

A

VF(*1)

Diodens framåtspänning

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

ISC

Kortslingsström

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

ICES

Kollektorns avskärmningsström

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Gate läckström

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Porttröskelspänning

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat)(*1)

Kollektor-emitter-mättnad

Spänning

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Diodström framåt

DC

250

A

IFRM

Diodens toppström framåt

tP = 1ms

500

A

VF(*1)

Diodens framåtspänning

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

ISC

Kortslingsström

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

td(off)

Avstängningens fördröjningstid

jagC =250A,

Vce = 1800V, VGenerella = ±15 V, rG(OFF) = 9.0Ω , CGenerella = 56nF,

Ls = 150nH,

tVj= 25 °C

1480

N

tVj= 125 °C

1550

tVj= 150 °C

1570

tF

Hösttid

tVj= 25 °C

1280

N

tVj= 125 °C

1920

tVj= 150 °C

2120

EAvstängd

Energiförlust vid avstängning

tVj= 25 °C

300

MJ

tVj= 125 °C

380

tVj= 150 °C

400

td(on)

Tidsfördröjning för på-

jagC =250A,

Vce = 1800V, VGenerella = ±15 V, rG(ON) = 6.0Ω , CGenerella = 56nF,

Ls = 150nH,

tVj= 25 °C

640

N

tVj= 125 °C

650

tVj= 150 °C

650

tr

Uppgångstid

tVj= 25 °C

220

N

tVj= 125 °C

235

tVj= 150 °C

238

Epå

Slå-på energi Förlust

tVj= 25 °C

395

MJ

tVj= 125 °C

510

tVj= 150 °C

565

Qrr

Diod omvänd

återställningsladdning

jagF =250A,

Vce = 1800V,

- djagF/dt = 1200A/us, (tVj= 125 °C).

tVj= 25 °C

190

μC

tVj= 125 °C

295

tVj= 150 °C

335

jagrr

Diod omvänd

återställningsström

tVj= 25 °C

185

A

tVj= 125 °C

210

tVj= 150 °C

216

Erec

Diod omvänd

återställningsenergi

tVj= 25 °C

223

MJ

tVj= 125 °C

360

tVj= 150 °C

410