GD450HFX170C6S,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

706

450

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

900

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 o C

2542

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

Jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

450

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

900

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =125 o C

2.25

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j = 150 o C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 18,0 mA, V Ce =V Generella , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.67

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

54.2

nF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.32

nF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

4.24

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C = 450 A, R G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 o C

179

n

t r

Uppgångstid

105

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

680

n

t f

Hösttid

375

n

E på

Tänd Växling

Förlust

116

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

113

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C = 450 A, R G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

208

n

t r

Uppgångstid

120

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

784

n

t f

Hösttid

613

n

E på

Tänd Växling

Förlust

152

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

171

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C = 450 A, R G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150o C

208

n

t r

Uppgångstid

120

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

800

n

t f

Hösttid

720

n

E på

Tänd Växling

Förlust

167

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

179

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j = 150 o C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

1800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt

Spänning

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j = 125o C

1.95

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F = 450 A,

-di/dt=4580A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j =25 o C

105

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

198

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

69.0

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F = 450 A,

-di/dt=4580A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 125o C

187

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

578

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

129

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F = 450 A,

-di/dt=4580A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 150o C

209

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

585

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

150

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

δR/R

Avvikelse av R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.059

0.083

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.031

0.043

0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g