IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

VCES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

VGES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

Pulsad samlarström tp=1ms

800

A

PD

Maximal strömförlust @ T = 150oC

2659

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framström

400

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström tp=1ms

800

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

Tjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

oC

- Vad är det?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

oC

TSTG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

oC

VISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =25 O C

2.90

3.35

V

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =125 O C

3.60

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 16 mA, V ce =V Generella , T j =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.6

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

26.0

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.70

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

4.2

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, r G = 2,2Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

76

N

t r

Uppgångstid

57

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

529

N

t F

Hösttid

73

N

E på

Tänd Växling

Förlust

5.2

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

23.2

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, r G = 2,2Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 125O C

81

N

t r

Uppgångstid

62

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

567

N

t F

Hösttid

81

N

E på

Tänd Växling

Förlust

9.9

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

31.7

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j =125 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

2800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 400 A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.96

2.31

V

jag F = 400 A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.98

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

24.9

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

317

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

16.0

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 125O C

35.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

391

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

21.4

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.18

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.047

0.100

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.015

0.031

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G