GD400HFU120C2S, IGBT-modul, STARPOWER

Kort introduktion

IGBT-modul , producerad av STARPOWER. 1200V 400A.

Funktioner

Typiska Tillämpningar

Absolut Maximal Betyg T C =25 ℃ om inte i annat fall noterat

Symbol	Beskrivning	GD400HFU120C2S	Enheter
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	± 20	V
Jag C	Samlarström @ T C = 25℃ @ T C =80 ℃	660 400	A
Jag CM (1)	Pulsad samlarström t p =1 ms	800	A
Jag F	Diod kontinuerlig framström	400	A
Jag FM (1)	Diodens maximala framåtsträcka hyra	800	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 150℃	2660	W
T SC	Kortslutning Tåga tid @ T j =125 ℃	10	μs
T j	Maximal temperatur vid korsningen	150	℃
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	℃
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V
Monteringsmoment	Skruv för kraftterminalen:M6	2,5 till 5.0	N.M
Monteringsmoment	Montering Skruv: M6	3,0 till 6.0	N.M

Elektrisk Egenskaper av IGBT T C =25 ℃ om inte i annat fall noterat

Avslutade egenskaper

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
V (BR )CES	Samlare-utgivare Bristningsspänning	T j =25 ℃	1200			V
Jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 ℃			5.0	mA
Jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 ℃			400	nA

Om egenskaper

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	Jag C =4,0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 ℃	4.4	4.9	6.0	V
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C = 400 A,V Generella =15V, T j =25 ℃		3.10	3.60	V
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C = 400 A,V Generella =15V, T j = 125℃		3.45		V

Omställning av egenskaper

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,V Generella = ± 15 V, T j =25 ℃		680		n
t r	Uppgångstid			142		n
t d (avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			638		n
t f	Hösttid			99		n
E på	Slå på växling Förlust			19.0		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			32.5		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,V Generella = ± 15 V, T j = 125℃		690		n
t r	Uppgångstid			146		n
t d (avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			669		n
t f	Hösttid			108		n
E på	Slå på växling Förlust			26.1		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			36.7		mJ
C ies	Inmatningskapacitet	V Ce =30V, f=1MHz, V Generella =0V		33.7		nF
C övriga	Utgångskapacitet			2.99		nF
C res	Omvänd överföring Kapacitet			1.21		nF
Jag SC	SK-uppgifter	T P ≤ 10μs,V Generella =15 V, T j =25 ℃ , V CC =600 V, V CEM ≤ 1200V		2600		A
R Gint	Inre portresis - Självklart.			0.5		ω
L Ce	Strömavtryck				18	nH
R CC + EE ’	Modul blymotstånd ce, Terminal till chip	T C =25 ℃		0.32		m ω

Elektrisk Egenskaper av Diod T C =25 ℃ om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden		Min.	Typ.	Max.	Enheter
V F	Diod framåt Spänning	Jag F =400A	T j =25 ℃		1.95	2.35	V
V F	Diod framåt Spänning	Jag F =400A	T j = 125℃		1.85		V
Q r	Återkrävt avgift	Jag F = 400A, V R = 600 V, en bredd på minst 10 mm, V Generella - Det är inte sant. 15V	T j =25 ℃		24.1		μC
Q r	Återkrävt avgift		T j = 125℃		44.3		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström		T j =25 ℃		220		A
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström		T j = 125℃		295		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi		T j =25 ℃		13.9		mJ
E rec	Omvänd återhämtning Energi		T j = 125℃		24.8		mJ

Termiska egenskaper ics

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Enheter
R θ JC	Sammanslagning till fall (per IG) BT)		0.047	K/W
R θ JC	Sammanslagning till fall (per D) Jod)		0.096	K/W
R θ CS	Fläckar och skärmar (förlängd)	0.035		K/W
G	Vikt av Modul	350		g