IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD400HFU120C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

jag C

Samlarström @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

660

400

A

jag CM (1)

Pulsad samlarström t P =1 ms

800

A

jag F

Diod kontinuerlig framström

400

A

jag FM (1)

Diodens maximala framåtsträcka hyra

800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 150℃

2660

W

t SC

Kortslutning Tåga tid @ T j =125 ℃

10

μs

t j

Maximal temperatur vid korsningen

150

℃

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Monteringsmoment

Skruv för kraftterminalen:M6

2,5 till 5.0

N.M

Montering Skruv: M6

3,0 till 6.0

N.M

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

jag C =4,0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃

4.4

4.9

6.0

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =25 ℃

3.10

3.60

V

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j = 125℃

3.45

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, r G = 2,2Ω,V Generella = ± 15 V, t j =25 ℃

680

N

t r

Uppgångstid

142

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

638

N

t F

Hösttid

99

N

E på

Slå på växling

Förlust

19.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

32.5

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, r G = 2,2Ω,V Generella = ± 15 V, t j = 125℃

690

N

t r

Uppgångstid

146

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

669

N

t F

Hösttid

108

N

E på

Slå på växling

Förlust

26.1

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

36.7

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =30V, f=1MHz,

V Generella =0V

33.7

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

2.99

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.21

NF

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10μs,V Generella =15 V, t j =25 ℃ ,

V CC =600 V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

r Gint

Inre portresis - Självklart.

0.5

Ω

L ce

Strömavtryck

18

nH

r CC + EE ’

Modul blymotstånd ce, Terminal till chip

t C =25 ℃

0.32

M Ω

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =400A

t j =25 ℃

1.95

2.35

V

t j = 125℃

1.85

Q r

Återkrävt avgift

jag F = 400A,

V r = 600 V,

en bredd på minst 10 mm, V Generella - Det är inte sant. 15V

t j =25 ℃

24.1

μC

t j = 125℃

44.3

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25 ℃

220

A

t j = 125℃

295

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

13.9

MJ

t j = 125℃

24.8

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Sammanslagning till fall (per IG) BT)

0.047

K/W

r θ JC

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.096

K/W

r θ CS

Fläckar och skärmar (förlängd)

0.035

K/W

G

Vikt av Modul

350

G