IGBT-modul 4500V

Parameter

Symbol

Villkor

värde

enhet

Kollektor-emitterspänning

V CES

V Generella =0V, t Vj =25 ° C

4500

V

Samlar av likström Cu Rent

jag C

t C =100 ° C,T Vj =125 ° C

2000

A

Spetsström för kollektorn

jag CM

t P =1 ms

4000

A

Port -Utgång Spänning

V GES

± 20

V

Total Ström Dissipation

P för

t C =25 ° C,T Vj =125 ° C

20800

W

DC Framåt Cu Rent

jag F

2000

A

Höjdpunkt Framåt Cur hyra

jag Från och med den 1 januari

t P =1 ms

4000

A

Överström

jag FSM

V r =0V,T Vj =125 ° C,

t P =10 ms, halva synvåg

14000

A

IGBT kortslutnings-SOA

t PSC

V CC = 3400V, V CEM Chip ≤ 4500 V V Generella ≤ 15 V,T Vj ≤ 125 ° C

10

μs

Maximal korsning Temperatur

t Vj (max )

125

℃

Tvättpunkt Driftstemperatur

t Vj (op )

-40~125

℃

Hyllestemperatur

t C

-40~125

℃

Lagringstemperatur

t STG

-40~70

℃

Monteringskraft

F M

60 till 75

kN

Parameter

Symbol

Villkor

värde

enhet

Min.

Typ.

Max.

Kollektor-sändarens avbrottsspänning

V ((BR) CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Kollektor-sändarens mättningsspänning

VCE (sat)

IC=2000A, VGE=15V

Tvj=25°C

2.70

3.05

V

Tvj=125°C

3.35

3.85

V

Kollektor-sändare avskärmningström

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

Tvj=25°C

1

mA

Tvj=125°C

15

100

mA

Lekkad ström från gate-emitter

IGES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125°C

-500

500

NA

Gränsspänning för utgivare

VGE (å)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

6.7

7.7

V

Portavgift

Qg

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

10

μC

Inmatningskapacitet

- Det är sant.

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25°C

213

NF

Utgångskapacitet

Coes

15.3

NF

Omvänd överföringskapacitet

Cres

4.7

NF

Inre portmotstånd

RGint

0

Ω

Tidsfördröjning för på-

Td (på)

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=± 15 V,

RGon=1,8Ω,

RGoff=8,2Ω,

Cge=330nF,

LS=140nH,

Induktionsbelastning

Tvj=25°C

1100

N

Tvj=125°C

900

N

Uppgångstid

t

Tvj=25°C

400

N

Tvj=125°C

450

N

Avstängningens fördröjningstid

Avstängning

Tvj=25°C

3800

N

Tvj=125°C

4100

N

Hösttid

TF

Tvj=25°C

1200

N

Tvj=125°C

1400

N

Tändning av energi

EON

Tvj=25°C

14240

MJ

Tvj=125°C

15730

MJ

Avstängning av växlingsenergin

EOFF

Tvj=25°C

6960

MJ

Tvj=125°C

8180

MJ

Kortslingsström

ISC

VGE≤15V, tpsc≤10μs, VCC=3400V, Tvj=125°C

VCEM CHIP≤4500V

8400

A

Parameter

Symbol

Villkor

värde

enhet

Min.

Typ.

Max.

Framspänning

VF

IF=2000A

Tvj=25°C

2.60

V

Tvj=125°C

2.85

V

Omvänd återvinningström

Irr

IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH,

Induktionsbelastning

Tvj=25°C

1620

A

Tvj=125°C

1970

A

Omvänd återvinningsavgift

Qrr

Tvj=25°C

1750

UC

Tvj=125°C

2700

UC

Återställningstiden

trr

Tvj=25°C

4.0

US

Tvj=125°C

5.1

US

Energiförlust vid omvänd återvinning

Erec

Tvj=25°C

2350

MJ

Tvj=125°C

3860

MJ