IGBT-modul 4500V

Parameter

Symbol

Villkor

värde

enhet

Samlar ‐Utgång Spänning

V CES

V Generella =0V, t Vj =25 ° C

4500

V

DC Samlar Nuvarande

jag C

t C =100 ° C, t Vj =125 ° C

3000

A

Höjdpunkt Samlar Nuvarande

jag CM

t P =1 ms

6000

A

Port ‐Utgång Spänning

V GES

± 20

V

Total Ström Dissipation

P för

t C =25 ° C, t Vj =125 ° C

31200

W

DC Framåt Nuvarande

jag F

3000

A

Höjdpunkt Framåt Nuvarande

jag Från och med den 1 januari

t P =1 ms

6000

A

Överspänning Nuvarande

jag FSM

V r =0V, t Vj =125 ° C,

t P =10 ms ,halv ‐sinusvåg

21000

A

IGBT Kort KRETS SOA

t PSC

V CC = 3400V, V CEM Chip ≤ 4500 V V Generella ≤15V, t Vj ≤ 125 ° C

10

μs

Maximal Tvättpunkt Temperatur

t Vj (max )

125

℃

Tvättpunkt drift Temperatur

t Vj (op )

‐40~125

℃

Fall Temperatur

t C

‐40~125

℃

Lagring Temperatur

t STG

‐40~70

℃

Montering kraft

F M

90~130

kN

Parameter

Symbol

Villkor

värde

enhet

min .

Typ.

max .

Framspänning

V F

jag F =3000A

t Vj =25 ℃

2.60

V

t Vj =125 ℃

2.85

V

omvänd återställningsström

jag rr

IF=3000A, VR=2800V,

diF/dt=‐2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1.5Ω,

LS=140nH,

Induktionsbelastning

t Vj =25 ℃

1690

A

t Vj =125 ℃

2750

A

omvänd återställningsladdning

Q rr

t Vj =25 ℃

3000

UC

t Vj =125 ℃

3950

UC

omvänd återhämtningstid

t rr

t Vj =25 ℃

1.80

US

t Vj =125 ℃

2.20

US

omvänd återhämtning energi Förlust

E rec

t Vj =25 ℃

4000

MJ

t Vj =125 ℃

6300

MJ