IGBT-modul 3300V

Parametrar

Symbol

Villkor

Minsta värde

Maximala värde

Enkel Enhet

Gate-emitter kortslutning kollektor Emitter-kollektor spänning

VCES

3300

V

Kollektorström

jagC

1500

A

Maximal kollektor toppström

jagCM

tP=1ms

3000

A

Kollektor-emitter kortslutning gate Emitter-kollektor spänning

VGES

-20

20

V

Total dissipationskraft

Pför

tC=25°C,Tvj=150°C

14700

W

Diod framåtriktad genomsnittlig ström

jagF

1500

A

Diod framåtriktad repetitiv toppström

jagFrån och med den 1 januari

3000

A

Diodspikström

jagFSM

Vr=0V,tVj=150°C,tP=10ms,Sinus halvvåg

13500

A

Kortslutningssäker arbetsområde

tPSC

VCC=2500V,VGenerella≤ 15 V,tVj≤ 150°C

10

µs

Isoleringsspänning

Visol

1min, f=50Hz

6000

V

Kopplingstemperatur

tVj

175

°C

工作结温

tvj(op)

-50

150

°C

hölje temp

tC

-50

150

°C

Lagringstemperatur

tSTG

-50

125

°C

Installationsmoment

Ms

Mellan basplatta och kylareM6Skruv

4

6

Nm

Mt1

Huvud elektrodM8Skruv

8

10

MT2

HjälpelektrodM4Skruv

2

3

Parametrar

Symbol

Villkor

Minsta värde

Egenskapsvärde

Maximala värde

Enhet

Gate-emitter kortslutning Kollektor-emitter spänning

V(BR)CES

VGenerella=0V,jagC=10mA,tVj=25°C

3300

V

Kollektor-emitter mättnad spänning

VCEsat

jagC=1500A,VGenerella=15V

tVj=25°C

2.5

2.9

V

tVj=125°C

3.1

3.4

V

tVj= 150°C

3.25

Kollektoravstängningsström

jagCES

Vce=3300V,VGenerella=0V

tVj=25°C

0.06

4

mA

tVj=125°C

20

40

mA

tVj= 150°C

100

Gates läckström

jagGES

Vce=0V,VGenerella= ±20V,tVj=125°C

-500

500

NA

Gate-emitter tröskelspänning

VGE(th)

jagC=240mA,Vce=VGenerella,tVj=25°C

5

7

V

Gate-laddning

QG

jagC=1500A,Vce=1800V, VGenerella=-15V..15V

11

µC

Ingångskapacitans

Cies

Vce=25V,VGenerella=0V,f=1MHz, tVj=25°C

151

NF

utgångskapacitans

CÖvriga

12.6

Omvänd överföringskapacitans

Cres

3.85

Påslag fördröjning

tD(på)

VCC=1800V,jagC=1500A,

VGenerella=± 15 V,Cge=330NF,

rG= 1.0Ω- Jag är inte här.σ=280nH,

Induktiv belastning

tVj=25°C

650

N

tVj=125°C

590

tVj=150°C

590

Uppgångstid

tr

tVj=25°C

240

tVj=125°C

270

tVj=150°C

280

Avstängningsfördröjning

tD(Avstängd)

VCC=1800V,jagC=1500A,

VGenerella=± 15 V,Cge=330NF,

rG= 1.0Ω- Jag är inte här.σ=280nH,

Induktiv belastning

tVj=25°C

1600

N

tVj=125°C

1750

tVj=150°C

1800

Nedgångstid

tF

tVj=25°C

380

tVj=125°C

440

tVj=150°C

470

Påslagsenergi

Epå

VCC=1800V,jagC=1500A,

VGenerella=± 15 V,Cge=330NF,

rG= 1.0Ω- Jag är inte här.σ=280nH,

Induktiv belastning

tVj=25°C

1600

MJ

tVj=125°C

2150

tVj=150°C

2350

Avstängningsenergi

EAvstängd

VCC=1800V,jagC=1500A,

VGenerella=± 15 V,Cge=330NF,

rG= 1.0Ω- Jag är inte här.σ=280nH,

Induktiv belastning

tVj=25°C

2`00

MJ

tVj=125°C

2800

tVj=150°C

3000

Kortslutningsström

jagSC

tPSC≤10μs,VGenerella=15V,tVj=150°C, VCC=2500V,

6400

A

Parasitisk induktans

Lσce

8

nH

Parametrar

Symbol

Villkor

Minsta värde

Egenskapsvärde

Maximala värde

Enhet

Diodens framåtriktade genomsnittliga spänning

VF

jagF=1500A

tVj=25°C

2.05

2.5

V

tVj=125°C

2.25

2.6

tVj= 150°C

2.2

Omvänd återställningsström

jagrr

VCC=1800V,

jagC=1500A,

VGenerella=± 15 V,

rG= 1.3Ω ,

Cge=220NF

Lσ =280nH,

Induktiv belastning

tVj=25°C

1700

A

tVj=125°C

1850

A

tVj= 150°C

1900

Omvänd återställningsladdning

Qrr

tVj=25°C

950

µC

tVj=125°C

1550

µC

tVj= 150°C

1800

omvänd återställningstid

trr

tVj=25°C

1050

N

tVj=125°C

1350

tVj= 150°C

1500

Omvänd återställningsenergi

Erec

tVj=25°C

1150

MJ

tVj=125°C

1900

tVj= 150°C

2250