IDG75X12T2, IGBT diskret, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

150

75

A

jag CM

Pulsad Samlar Nuvarande T P begränsad Av T vjmax

225

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C

852

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

75

A

jag FM

Pulsad Samlar Nuvarande T P begränsad Av T vjmax

225

A

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +175

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-55 till +150

O C

T S

Lödningstemperatur 1,6 mm f Rom-fallet för 10s

260

O C

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =75A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

1.75

2.20

V

jag C =75A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C

2.10

jag C =75A,V Generella =15V, T Vj = 175 O C

2.20

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =3.00 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

250

μA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

100

NA

R Gint

Inre portmotstånd

2.0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

6.58

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

0.40

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.19

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

0.49

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =75A, R G =4.7Ω,

V Generella =± 15 V, Ls=40nH,

T Vj =25 O C

41

N

T R

Uppgångstid

135

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

87

N

T F

Hösttid

255

N

E på

Tänd Växling Förlust

12.5

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

3.6

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =75A, R G =4.7Ω,

V Generella =± 15 V, Ls=40nH,

T Vj = 150 O C

46

N

T R

Uppgångstid

140

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

164

N

T F

Hösttid

354

N

E på

Tänd Växling Förlust

17.6

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

6.3

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =75A, R G =4.7Ω,

V Generella =± 15 V, Ls=40nH,

T Vj = 175 O C

46

N

T R

Uppgångstid

140

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

167

N

T F

Hösttid

372

N

E på

Tänd Växling Förlust

18.7

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

6.7

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T Vj = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

300

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =75A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.75

2.20

V

jag F =75A,V Generella =0V,T Vj =15 0O C

1.75

jag F =75A,V Generella =0V,T Vj =17 5O C

1.75

trr

Diod omvänd återhämtningstid

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V Generella =-15 V, Ls=40nH,

T Vj =25 O C

267

N

Q R

Återkrävt avgift

4.2

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

22

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

1.1

MJ

trr

Diod omvänd återhämtningstid

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V Generella =-15 V, Ls=40nH,

T Vj = 150 O C

432

N

Q R

Återkrävt avgift

9.80

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

33

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

2.7

MJ

trr

Diod omvänd återhämtningstid

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V Generella =-15 V, Ls=40nH,

T Vj = 175 O C

466

N

Q R

Återkrävt avgift

11.2

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

35

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

3.1

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

R TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.176 0.371

K/W

R TJA

Sammanslutning med omgivning

40

K/W