H50ZYG, mjuk återhämtning diod

jag _T(AV)

700A

V _RRM

4000V 4200V

4500V

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

IF(AV)

Medel framåtriktad ström

180° halv sinusvåg 50Hz dubbelsidigt kyld

TC=70 ℃

125

700

A

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

tp=10ms

125

4000

4500

V

IRRM

Återkommande toppström

vid VRRM

125

100

mA

IFSM

Överspännings framåtström

10ms halvsinusvåg VR=0

125

16

kA

I2t

I2t för smältkoordination

1280

10³A ²S

VFO

Tröskelspänning

125

1.70

V

RF

Framåtlutande resistans

0.98

mΩ

VFM

Topp framåtriktad spänning

IFM=2000A, F=24kN

25

3.80

V

IRM

Omvänd återvinningström

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

125

610

A

trr

Återställningstiden

7.0

µs

Qrr

återställningsladdning

1500

µC

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 180 ° sinus, dubbel-sidig kyld Klämkraft 24kN

0.020

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

0.005

FM

Monteringskraft

19

26

kN

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

Wt

Vikt

440

G

Översikt

ZT50cT