H50KPU, Faskontrolltyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halv sinusvåg 50Hz

Dubbel sida kyld, TC=70 。C

125

600

A

VDRM VRRM

Upprepande topp avstängningsspänning Upprepande topp omvänd spänning

tp=10ms

125

7300

8500

V

Idrm Irrm

Återkommande toppström

@ VDRM @ VRRM

125

200

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

9.8

kA

I2t

I2t för smältkoordination

480

A2s*103

VTO

Tröskelspänning

125

1.04

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

2.33

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=1000A, F=24kN

25

2.95

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

VDM= 67%VDRM till 2000A,

Grindpulsen tr ≤0.5μs IGM ＝ 2.0A

125

100

A/μs

Qrr

återställningsladdning

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

µC

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

40

300

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

25

200

mA

IL

Låsningsström

500

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=0.67VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 1800 sinus, dubbel sida kyld Klämkraft 24.0kN

0.022

。C /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

0.005

。C /W

FM

Monteringskraft

19

24

26

kN

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

Wt

Vikt

560

G

Översikt

KT50dT