H38KFM, Icke symmetrisk snabb avstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° Halvsinusbölja 50Hz Dubbel sida kyld,

TC=55°C

125

350

A

VDRM

Repetitiv toppavstängningsspänning

tp=10ms

125

4000

4500

V

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

125

1000

3000

V

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

60

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

5.0

kA

I2t

I2t för smältkoordination

125

A2s*103

VTO

Tröskelspänning

125

1.48

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

2.00

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=1000A, F=15kN

50≤tq≤60

25

3.60

V

61≤tq≤120

2.80

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

VDM= 67%VDRM till 1000A,

Gate-puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

återställningsladdning

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

350

µC

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs

125

50

120

µs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

40

250

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.9

2.5

V

IH

Hållström

20

400

mA

IL

Låsningsström

500

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 1800 sinus, dubbel sida kyld klämkraft 15kN

0.035

。C /W

Rth(c-h)

Termisk resistans fall till kylfläns

0.008

FM

Monteringskraft

10

20

kN

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

Wt

Vikt

250

G

Översikt

KT33cT