H125KPU, fasstyrningstyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180。halv sinusvåg 50Hz Dubbel sida kyld

TC=55 。C

90

2800

A

IDRM IRRM

Återkommande topp Nuvarande

vid VDRM tp= 10ms vid VRRM tp= 10ms

90

700

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halvsinusbölja VR=0.6VRRM

90

40

kA

jag 2T

jag 2t för smältkoordination

8000

103A 2S

VTO

Tröskelspänning

90

0.92

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.32

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=3000A, F= 120kN

25

1.95

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning O f avstängd tillstånd Spänning

VDM=0.67VDRM

90

2000

V/μs

di/dt

Kritisk stighastighet E av påslagen Nuvarande

VDM=67%VDRM,

Gatepuls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

90

100

A/μs

Qrr

återställningsladdning

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

90

6500

μC

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

jag H

Hållström

25

200

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

90

0.3

V

Rth(j-c)

Termiskt motstånd Junction till hölje

Dubbel sida kyld

Klämkraft 120kN

0.004

。C /W

Rth(c-h)

Termiskt motstånd hölje till Värmesänkande

0.001