H100KFM,Icke symmetrisk snabbavstängning thyristor

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃ )

värde

enhet

min

TYP

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180。Halvsinusbölja 50Hz Dubbel sida kyld,

TC=55°C

125

4500

A

TC=70°C

125

3800

A

VDRM

Repetitiv toppavstängningsspänning

tp=10ms

125

4000

4500

V

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

125

1000

3000

V

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

500

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

50

kA

I2t

I2t för smältkoordination

12500

103A2s

VTO

Tröskelspänning

125

1.58

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.15

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=5000A, F=70kN 。

60

25

2.60

V

101

25

2.00

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

VDM= 67%VDRM till 4000A

Gatepuls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

återställningsladdning

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

4000

µC

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=2000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs

125

60

100

200

µs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

50

300

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.5

V

IH

Hållström

20

1000

mA

IL

Låsningsström

1500

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.25

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Dubbel sida kyld

0.005

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans fall till kylfläns

0.0015

FM

Monteringskraft

81

108

kN

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

℃

Wt

Vikt

1880

G

Översikt

KT100cT