GD950HTX75P6HT

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 950V 750a.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
Låga bytesförluster
6 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad koppar pinfin basplatta med Si ₃N ₄AMB-teknik

Typiska Tillämpningar

Fordonsapplikation
Hybrid- och elfordon
Inverterare för motordrivning

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	750	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag CN	Implementerad samlare Cu Rent	950	A
jag C	Samlarström @ T F =100 O C	450	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	1900	A
P D	Maximal effektförlust ation @ T F =75 O C T j = 175 O C	1162	W

Diod

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd spänning Generella	750	V
jag FN	Implementerad samlare Cu Rent	950	A
jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent	450	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	1900	A

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	O C
T - Vad?	Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig I 10 sekunder inom en tidsperiod av 30 sekunder, förekomst maximalt 3000 gånger under livstiden	-40 till +150 +150 till +175	O C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =25 O C		1.35	1.60	V
		jag C = 450 A, V Generella =15V, T j = 150 O C		1.60
		jag C = 450 A, V Generella =15V, T j = 175 O C		1.65
		jag C =950A,V Generella =15V, T j =25 O C		1.75
		jag C =950A,V Generella =15V, T j = 175 O C		2.35
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =9.60 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C	4.9	5.8	6.5	V
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =9.60 mA ,V ce = V Generella , Tj=175 O C		4.1
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C			1.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portmotstånd			0.7		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =50V,f=100kHz, V Generella =0V		69.1		NF
C Övriga	Utgångskapacitet			2.31		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet			1.05		NF
Q G	Portavgift	V ce =400V,I C = 450 A, V Generella =-8...+15V		3.29		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =400V,I C = 450 A, R G =2.4Ω, V Generella =-8V/+15V, L S =24nH, T j =25 O C		191		N
T R	Uppgångstid			83		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			543		N
T F	Hösttid			158		N
E på	Tänd Växling Förlust			16.8		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			20.5		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =400V,I C = 450 A, R G =2.4Ω, V Generella =-8V/+15V, L S =24nH, T j = 150 O C		207		N
T R	Uppgångstid			96		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			594		N
T F	Hösttid			190		N
E på	Tänd Växling Förlust			22.5		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			24.5		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =400V,I C = 450 A, R G =2.4Ω, V Generella =-8V/+15V, L S =24nH, T j = 175 O C		208		N
T R	Uppgångstid			103		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			613		N
T F	Hösttid			190		N
E på	Tänd Växling Förlust			26.7		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			26.9		MJ
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤6μs, V Generella =15V,		4800		A
		T j =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

Diod Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =25 O C		1.40	1.65	V
		jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =1 50O C		1.35
		jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =1 75O C		1.30
		jag F =950A,V Generella =0V,T j =25 O C		1.75
		jag F =950A,V Generella =0V,T j =1 75O C		1.75
Q R	Återkrävt avgift	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=5520A/μs,V Generella =-8V L S =24 nH ,T j =25 O C		16.4		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			222		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			4.50		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=4810A/μs,V Generella =-8V L S =24 nH ,T j = 150 O C		32.2		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			283		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			8.19		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=4630A/μs,V Generella =-8V L S =24 nH ,T j = 175 O C		36.3		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			292		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			9.03		MJ

NTC Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modul Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck		8		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd, terminal till chip		0.75		mΩ
P	Maximal tryck i kylcirkulationen svamp T Basplatta <40 O C T Basplatta >40 O C (relativ tryck)			2.5 2.0	bar
R thJF	Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-till-kylvätska (per Di (s.d.) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 O C		0.075 0.118	0.086 0.136	K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Vikt av Modul		750		G