GD950HTA75P6H

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

750

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag CN

Implementerad samlare Cu Rent

950

A

jag C

Samlarström @ T F =100 O C

450

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1900

A

P D

Maximal effektförlust ation @ T F =75 O C T j = 175 O C

877

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

750

V

jag FN

Implementerad samlare Cu Rent

950

A

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

450

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1900

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T - Vad?

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

I 10 sekunder inom en tidsperiod av 30 sekunder, förekomst maximalt 3000 gånger under livstiden

-40 till +150 +150 till +175

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =25 O C

1.10

1.35

V

jag C = 450 A, V Generella =15V, T j = 150 O C

1.15

jag C = 450 A, V Generella =15V, T j = 175 O C

1.15

jag C =950A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.40

jag C =950A,V Generella =15V, T j = 175 O C

1.65

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =12.9 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.5

6.5

7.0

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

1.0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =50V,f=100kHz, V Generella =0V

72.3

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

1.51

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.32

NF

Q G

Portavgift

V ce =400V,I C = 450 A, V Generella =-15…+15V

4.77

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 450 A, R G =2.4Ω,

V Generella =-8V/+15V, L S =24nH,

T j =25 O C

315

N

T R

Uppgångstid

61

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

729

N

T F

Hösttid

70

N

E på

Tänd Växling Förlust

12.4

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

18.3

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 450 A, R G =2.4Ω,

V Generella =-8V/+15V, L S =24nH,

T j = 150 O C

338

N

T R

Uppgångstid

74

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

826

N

T F

Hösttid

151

N

E på

Tänd Växling Förlust

20.7

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

25.3

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 450 A, R G =2.4Ω,

V Generella =-8V/+15V, L S =24nH,

T j = 175 O C

343

N

T R

Uppgångstid

77

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

846

N

T F

Hösttid

171

N

E på

Tänd Växling Förlust

25.0

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

27.3

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤6μs, V Generella =15V,

T j =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4500

A

T P ≤3μs, V Generella =15V,

T j = 175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3300

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =25 O C

1.40

1.65

V

jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =1 50O C

1.35

jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =1 75O C

1.30

jag F =950A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.75

jag F =950A,V Generella =0V,T j =1 75O C

1.75

Q R

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=7760A/μs,V Generella =-8V L S =24 nH ,T j =25 O C

10.1

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

287

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

4.83

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6300A/μs,V Generella =-8V L S =24 nH ,T j = 150 O C

25.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

341

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

9.32

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=5990A/μs,V Generella =-8V L S =24 nH ,T j = 175 O C

30.4

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

354

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

10.6

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

8

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.75

mΩ

△ P

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 O C

64

Mbar

P

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

T Basplatta <40 O C

T Basplatta >40 O C

(relativ tryck)

2.5 2.0

bar

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 O C

0.098 0.140

0.114 0.160

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

G