GD900SGF120A3SN,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1466

900

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C

5.34

kW

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

900

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1800

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =900A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

2.00

2.45

V

jag C =900A,V Generella =15V, T Vj =125 O C

2.50

jag C =900A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C

2.65

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =32.0 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

1.44

Ω

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V Generella =-10/+15V, T Vj =25 O C

520

N

T R

Uppgångstid

127

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

493

N

T F

Hösttid

72

N

E på

Tänd Växling Förlust

76.0

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

85.0

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V Generella =-10/+15V, T Vj =125 O C

580

N

T R

Uppgångstid

168

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

644

N

T F

Hösttid

89

N

E på

Tänd Växling Förlust

127

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

98.5

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V Generella =-10/+15V, T Vj = 150 O C

629

N

T R

Uppgångstid

176

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

676

N

T F

Hösttid

96

N

E på

Tänd Växling Förlust

134

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

99.0

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =900A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.95

2.40

V

jag F =900A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

2.00

jag F =900A,V Generella =0V,T Vj = 150 O C

2.05

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V Generella =-10V,

T Vj =25 O C

80

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

486

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

35.0

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V Generella =-10V,

T Vj =125 O C

153

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

510

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

64.0

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V Generella =-10V,

T Vj = 150 O C

158

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

513

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

74.0

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

12

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.19

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

28.1 44.1

K/kW

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

9.82 15.4 6.0

K/kW

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Vikt av Modul

1050

G