GD820HTX75P6HBT

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

750

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag CN

Implementerad samlare Cu Rent

820

A

jag C

Samlarström @ T F = 85 O C

450

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1640

A

P D

Maximal effektförlust ation @ T F =75 O C T j = 175 O C

884

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

750

V

jag FN

Implementerad samlare Cu Rent

820

A

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

450

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1640

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T - Vad?

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

I 10 sekunder inom en tidsperiod av 30 sekunder, förekomst maximalt 3000 gånger under livstiden

-40 till +150 +150 till +175

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =25 O C

1.25

1.50

V

jag C = 450 A, V Generella =15V, T j = 150 O C

1.35

jag C = 450 A, V Generella =15V, T j = 175 O C

1.40

jag C =820A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.55

jag C =820A,V Generella =15V, T j = 175 O C

1.90

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =9.60 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.0

5.7

7.0

V

jag C =9.60 mA ,V ce = V Generella , T j = 175 O C

3.5

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

0.7

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =50V,f=100kHz, V Generella =0V

42.1

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

1.80

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

1.18

NF

Q G

Portavgift

V ce =400V,I C =450A, V Generella =-8...+15V

3.01

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 450 A, R G =2.4Ω, L S =24 nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j =25 O C

126

N

T R

Uppgångstid

62

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

639

N

T F

Hösttid

149

N

E på

Tänd Växling Förlust

17.3

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

25.4

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 450 A, R G =2.4Ω, L S =24 nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j = 150 O C

136

N

T R

Uppgångstid

68

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

715

N

T F

Hösttid

221

N

E på

Tänd Växling Förlust

22.5

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

31.0

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 450 A, R G =2.4Ω, L S =24 nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j = 175 O C

138

N

T R

Uppgångstid

68

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

739

N

T F

Hösttid

227

N

E på

Tänd Växling Förlust

24.8

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

32.6

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤6μs, V Generella =15V,

5100

A

T j =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

T P ≤3μs, V Generella =15V,

T j = 175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =25 O C

1.40

1.65

V

jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =1 50O C

1.35

jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =1 75O C

1.30

jag F =820A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.70

jag F =820A,V Generella =0V,T j =1 75O C

1.65

Q R

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=7070A/μs,V Generella = 8 V, L S =24 nH ,T j =25 O C

16.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

254

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

5.03

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6150A/μs,V Generella = 8 V, L S =24 nH ,T j = 150 O C

36.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

320

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

9.49

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6010A/μs,V Generella = 8 V, L S =24 nH ,T j = 175 O C

40.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

338

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

10.5

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

8

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.75

mΩ

P

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

T Basplatta <40 O C

T Basplatta >40 O C

(relativ tryck)

2.5 2.0

bar

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 O C

0.103 0.169

0.118 0.194

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

G