GD800HFX120C6HA,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =100 O C

800

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

5172

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

800

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1600

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =800A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.95

2.40

V

jag C =800A,V Generella =15V, T j =125 O C

2.30

jag C =800A,V Generella =15V, T j = 150 O C

2.40

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

0.7

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

62.1

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

1.74

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

4.66

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A, R G =1.0Ω, V Generella =± 15 V, L S =40 nH ,T j =25 O C

266

N

T R

Uppgångstid

98

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

394

N

T F

Hösttid

201

N

E på

Tänd Växling Förlust

108

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

73.8

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A, R G =1.0Ω, V Generella =± 15 V, L S =40 nH ,T j =125 O C

280

N

T R

Uppgångstid

115

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

435

N

T F

Hösttid

275

N

E på

Tänd Växling Förlust

153

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

91.3

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A, R G =1.0Ω, V Generella =± 15 V, L S =40 nH ,T j = 150 O C

282

N

T R

Uppgångstid

117

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

446

N

T F

Hösttid

290

N

E på

Tänd Växling Förlust

165

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

94.4

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =800A,V Generella =0V,T j =25 O C

2.00

2.45

V

jag F =800A,V Generella =0V,T j =1 25O C

2.15

jag F =800A,V Generella =0V,T j =1 50O C

2.20

Q R

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V Generella = 15 V, L S =40 nH ,T j =25 O C

48.1

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

264

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

18.0

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V Generella = 15 V, L S =40 nH ,T j =125 O C

95.3

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

291

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

35.3

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=4550A/μs,V Generella = 15 V, L S =40 nH ,T j = 150 O C

107

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

293

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

38.5

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.029 0.050

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.028 0.049 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

G