IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =100 O C

800

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C

4687

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

900

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1800

A

jag FSM

Överspännings framström t P =10ms @ T Vj =12 5O C @ T Vj = 175 O C

2392

2448

A

jag 2t

jag 2t- värde ,t P =10 ms @ t Vj =125 O C @ T Vj = 175 O C

28608

29964

A 2s

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =800A,V Generella =15V, t Vj =25 O C

1.40

1.85

V

jag C =800A,V Generella =15V, t Vj =125 O C

1.60

jag C =800A,V Generella =15V, t Vj = 175 O C

1.60

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , t Vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

28.4

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.15

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

2.05

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A, r G =0.5Ω, L s = 40nH, V Generella =-8V/+15V,

t Vj =25 O C

168

N

t r

Uppgångstid

78

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

428

N

t F

Hösttid

123

N

E på

Tänd Växling Förlust

43.4

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

77.0

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A,

r G =0.5Ω, L s = 40nH,

V Generella =-8V/+15V,

t Vj =125 O C

172

N

t r

Uppgångstid

84

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

502

N

t F

Hösttid

206

N

E på

Tänd Växling Förlust

86.3

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

99.1

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A,

r G =0.5Ω, L s = 40nH,

V Generella =-8V/+15V,

t Vj = 175 O C

174

N

t r

Uppgångstid

90

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

531

N

t F

Hösttid

257

N

E på

Tänd Växling Förlust

99.8

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

105

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤8μs, V Generella =15V,

t Vj = 150 O C,

V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

t P ≤6μs, V Generella =15V,

t Vj = 175 O C,

V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

jag F =900A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.60

2.00

V

jag F =900A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.60

jag F =900A,V Generella =0V,T Vj = 175 O C

1.50

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V Generella = 8 V, L s =40 nH ,t Vj =25 O C

47.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

400

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

13.6

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V Generella = 8 V, L s =40 nH ,t Vj =125 O C

82.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

401

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

26.5

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V Generella = 8 V, L s =40 nH ,t Vj = 175 O C

110

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

413

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

34.8

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

r 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av r 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k