GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT-modul, STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 800a.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Inverterare för motordrivning
Förstärkare för AC- och DC-servoanström
Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning Övergående spänning för utgivare	±20 ±30	V
jag C	Samlarström @ T C =25 O C @ T C = 95 O C	1280 800	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	1600	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C	3191	W

Diod

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt Ålder	1200	V
jag F	Diode Kontinuerlig Framåtström ent	800	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	1600	A

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T vjmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	O C
T vjop	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +175	O C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C =800A,V Generella =15V, T Vj =25 O C		1.30	1.75	V
		jag C =800A,V Generella =15V, T Vj =125 O C		1.45
		jag C =800A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C		1.50
		jag C =800A,V Generella =15V, T Vj = 175 O C		1.55
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =32.0 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C	5.5	6.1	7.0	V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C			1.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portmotstånd			0.38		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		156		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		1.10		NF
Q G	Portavgift	V Generella =-8...+15V		10.3		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω, V Generella =-8V/+15V, T Vj =25 O C		338		N
T R	Uppgångstid			174		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1020		N
T F	Hösttid			100		N
E på	Tänd Växling Förlust			65.2		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			88.8		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω, V Generella =-8V/+15V, T Vj =125 O C		398		N
T R	Uppgångstid			203		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1140		N
T F	Hösttid			183		N
E på	Tänd Växling Förlust			96.6		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			109		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω, V Generella =-8V/+15V, T Vj = 150 O C		413		N
T R	Uppgångstid			213		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1140		N
T F	Hösttid			195		N
E på	Tänd Växling Förlust			105		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			113		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω, V Generella =-8V/+15V, T Vj = 175 O C		419		N
T R	Uppgångstid			223		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1142		N
T F	Hösttid			205		N
E på	Tänd Växling Förlust			110		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			115		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤8μs, V Generella =15V, T Vj = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		3300		A
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤6μs, V Generella =15V, T Vj = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		3000		A

Diod Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F =800A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		jag F =800A,V Generella =0V,T Vj =125 O C		1.85
		jag F =800A,V Generella =0V,T Vj = 150 O C		1.85
		jag F =800A,V Generella =0V,T Vj = 175 O C		1.85
Q R	Återkrävt avgift	V R =600V,I F =800A, -di/dt=5510A/μs,V Generella = 8 V, T Vj =25 O C		28.6		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			311		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			13.9		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R =600V,I F =800A, -di/dt=4990A/μs,V Generella = 8 V, T Vj =125 O C		56.8		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			378		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			23.7		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R =600V,I F =800A, -di/dt=4860A/μs,V Generella = 8 V, T Vj = 150 O C		66.3		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			395		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			26.7		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R =600V,I F =800A, -di/dt=4790A/μs,V Generella = 8 V, T Vj = 175 O C		72.1		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			403		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			28.6		MJ

Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck		20		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd, terminal till chip		0.42		mΩ
R TJC	Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)			0.047 0.083	K/W
R ThCH	Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)		0.031 0.055 0.010		K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Vikt av Modul		320		G