GD75PFX170C6SG,IGBT-modul,STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1700V 75a.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
10 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Inverterare för motordrivning
Förstärkare för AC- och DC-servoanström
Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT-omvandlare

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1700	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag C	Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C	139 75	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	150	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C	559	W

Diod-omvandlare

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt Ålder	1700	V
jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent	75	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	150	A

Diode-rektifierare

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt Ålder	2000	V
jag O	Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg	75	A
jag FSM	Överspännings framström t P =10ms @ T Vj = 25O C @ T Vj = 150 O C	1440 1206	A
jag 2T	jag 2T-värde, t P =10ms @ T Vj =25 O C @ T Vj = 150 O C	10368 7272	A 2S

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T vjmax	Maximala kopplings temperatur (inverterare) Maximala kopplings temperatur (rektifierare)	175 150	O C
T vjop	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	O C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -Inverter Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C =75A,V Generella =15V, T Vj =25 O C		1.85	2.20	V
		jag C =75A,V Generella =15V, T Vj =125 O C		2.25
		jag C =75A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C		2.35
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =3.0 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C			5.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portmotstånd			8.5		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		9.03		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		0.22		NF
Q G	Portavgift	V Generella =-15 ...+15V		0.71		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, L S =46 nH ,T Vj =25 O C		236		N
T R	Uppgångstid			42		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			356		N
T F	Hösttid			363		N
E på	Tänd Växling Förlust			17.3		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			11.7		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, L S =46 nH ,T Vj =125 O C		252		N
T R	Uppgångstid			48		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			420		N
T F	Hösttid			485		N
E på	Tänd Växling Förlust			27.1		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			16.6		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, L S =46 nH ,T Vj = 150 O C		275		N
T R	Uppgångstid			50		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			432		N
T F	Hösttid			524		N
E på	Tänd Växling Förlust			27.9		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			17.7		MJ
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤10μs, V Generella =15V, T Vj = 150 O C ,V CC =1000V , V CEM ≤ 1700V		300		A

Diod -Inverter Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F =75A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C		1.80	2.25	V
		jag F =75A,V Generella =0V,T Vj =12 5O C		1.90
		jag F =75A,V Generella =0V,T Vj =15 0O C		1.95
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =75A, -di/dt=1290A/μs,V Generella =-15V L S =46 nH ,T Vj =25 O C		10.3		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			84		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			7.44		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =75A, -di/dt=1100A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V L S =46 nH ,T Vj =125 O C		20.5		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			87		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			16.1		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =75A, -di/dt=1060A/μs,V Generella =-15V L S =46 nH ,T Vj = 150 O C		22.5		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			97		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			19.2		MJ

Diod -rektifierare Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag C =75A, T Vj = 150 O C		0.95		V
jag R	Omvänd ström	T Vj = 150 O C ,V R =2000V			3.0	mA

NTC Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
R TJC	Tvättpunkt -till -housse (perIGBT -Inverter ) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier)			0.268 0.481 0.289	K/W
R ThCH	housse -till -Värmesänkande (perIGBT -Inverter )Kasse-till-kylblock (per Diode-i nverter) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) Hylsa till värmesänk (per Modul)		0.106 0.190 0.114 0.009		K/W
M	Monteringsmoment Skruv: M5	3.0		6.0	N.M
G	Vikt av Modul		300		G