GD75HFX170C1S, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

136

75

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

150

A

P D

Maximal Ström Dissipation @ T Vj = 175 O C

539

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1700

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

75

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

150

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =75A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

1.85

2.20

V

jag C =75A,V Generella =15V, T Vj =125 O C

2.25

jag C =75A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =3.0 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

8.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

9.03

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.22

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.71

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =60 nH ,T Vj =25 O C

237

N

T R

Uppgångstid

59

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

314

N

T F

Hösttid

361

N

E på

Tänd Växling Förlust

25.0

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

9.5

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =60 nH ,T Vj =125 O C

254

N

T R

Uppgångstid

70

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

383

N

T F

Hösttid

524

N

E på

Tänd Växling Förlust

33.3

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

15.1

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =60 nH ,T Vj = 150 O C

257

N

T R

Uppgångstid

75

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

396

N

T F

Hösttid

588

N

E på

Tänd Växling Förlust

36.9

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

16.6

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T Vj = 150 O C ,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

300

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =75A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.80

2.25

V

jag F =75A,V Generella =0V,T Vj =12 5O C

1.90

jag F =75A,V Generella =0V,T Vj =15 0O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs, V Generella =-15V Lärare =60 nH ,T Vj =25 O C

16.4

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

58

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

7.2

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs, V Generella =-15V Lärare =60 nH ,T Vj =125 O C

30.8

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

64

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

15.8

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs, V Generella =-15V Lärare =60 nH ,T Vj = 150 O C

31.4

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

64

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

18.2

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.65

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.278 0.467

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

150

G