GD750HFA120C6S,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =100 O C

750

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1500

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C

3125

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

900

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1500

A

jag FSM

Överspännings framström t P =10ms @ T Vj = 25O C @ T Vj = 150 O C

3104

2472

A

jag 2T

jag 2t- värde ,T P =10 ms @ T Vj =25 O C @ T Vj = 150 O C

48174

30554

A 2S

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =750A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

1.35

1.85

V

jag C =750A,V Generella =15V, T Vj =125 O C

1.55

jag C =750A,V Generella =15V, T Vj = 175 O C

1.55

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

0.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

85.2

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.45

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

6.15

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =750A,

R G =0.5Ω,

V Generella =-8V/+15V,

L S =40 nH ,T Vj =25 O C

238

N

T R

Uppgångstid

76

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

622

N

T F

Hösttid

74

N

E på

Tänd Växling Förlust

68.0

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

52.8

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V Generella =-8V/+15V,

L S =40 nH ,T Vj =125 O C

266

N

T R

Uppgångstid

89

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

685

N

T F

Hösttid

139

N

E på

Tänd Växling Förlust

88.9

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

67.4

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V Generella =-8V/+15V,

L S =40 nH ,T Vj = 175 O C

280

N

T R

Uppgångstid

95

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

715

N

T F

Hösttid

166

N

E på

Tänd Växling Förlust

102

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

72.7

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤8μs, V Generella =15V,

T Vj = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2500

A

T P ≤6μs, V Generella =15V,

T Vj = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

jag F =750A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.60

2.05

V

jag F =750A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.65

jag F =750A,V Generella =0V,T Vj = 175 O C

1.65

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V Generella = 8 V, L S =40 nH ,T Vj =25 O C

79.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

369

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

23.3

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V Generella = 8 V, L S =40 nH ,T Vj =125 O C

120

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

400

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

39.5

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V Generella = 8 V, L S =40 nH ,T Vj = 175 O C

151

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

423

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

49.7

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.80

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.048 0.088

K/W

R ThCH

housse -till -Värmesänkande (perIGBT )Högsta värmeeffekt (p) Diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.028 0.051 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

G