GD720HTA120P6HLT,IGBT-modul,STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 720a.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
Låga bytesförluster
4μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad koppar pinfin basplatta med Si3N4AMB-teknik

Typiska Tillämpningar

Fordonsapplikation
Hybrid- och elfordon
Inverterare för motordrivning

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag CN	Implementerad samlare Cu Rent	720	A
jag C	Samlarström @ T F =65 O C	600	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	1440	A
P D	Maximal effektförlust ation @ T F =75 O C T Vj = 175 O C	1204	W

Diod

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd spänning Generella	1200	V
jag FN	Implementerad samlare Cu Rent	720	A
jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent	600	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	1440	A

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T vjmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	O C
T vjop	Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig För 10s inom en period av 30s, förekomst maximalt 3000 gånger under livslängd jag	-40 till +150 +150 till +175	O C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min	3000	V

IGBT Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C = 600 A, V Generella =15V, T Vj =25 O C		1.50		V
		jag C = 600 A, V Generella =15V, T Vj = 150 O C		1.80
		jag C = 600 A, V Generella =15V, T Vj = 175 O C		1.85
		jag C =720A,V Generella =15V, T Vj =25 O C		1.60
		jag C =720A,V Generella =15V, T Vj = 175 O C		2.05
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C = 15,6 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C		6.0		V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C			1.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portmotstånd			1.67		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		48.7		NF
C Övriga	Utgångskapacitet			1.55		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet			0.26		NF
Q G	Portavgift	V ce =800V,I C =600A, V Generella =-8...+15V		3.52		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =800V,I C = 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH, V Generella =-8V/+15V, T Vj =25 O C		208		N
T R	Uppgångstid			65		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			505		N
T F	Hösttid			104		N
E på	Tänd Växling Förlust			77.7		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			62.2		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =800V,I C = 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH, V Generella =-8V/+15V, T Vj = 150 O C		225		N
T R	Uppgångstid			75		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			567		N
T F	Hösttid			191		N
E på	Tänd Växling Förlust			110		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			83.4		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =800V,I C = 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH, V Generella =-8V/+15V, T Vj = 175 O C		226		N
T R	Uppgångstid			77		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			583		N
T F	Hösttid			203		N
E på	Tänd Växling Förlust			118		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			85.9		MJ
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤4μs, V Generella =15V, T Vj = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		2600		A

Diod Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F = 600 A, V Generella =0V,T Vj =2 5O C		1.95		V
		jag F = 600 A, V Generella =0V,T Vj = 150 O C		1.95
		jag F = 600 A, V Generella =0V,T Vj = 175 O C		1.90
		jag F =720A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C		2.05
		jag F =720A,V Generella =0V,T Vj = 175 O C		2.05
Q R	Återkrävt avgift	V R =800V,I F = 600A, -di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V Generella = 8 V, T Vj =25 O C		44.3		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			346		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			16.2		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R =800V,I F = 600A, -di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V Generella = 8 V, T Vj = 150 O C		73.4		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			385		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			27.8		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R =800V,I F = 600A, -di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V Generella = 8 V, T Vj = 175 O C		80.7		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			392		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			30.7		MJ

NTC Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modul Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck		8		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		0.75		mΩ
P	Maximal tryck i kylcirkulationen svamp T Basplatta <40 O C T Basplatta >40 O C (relativ tryck)			2.5 2.0	bar
R thJF	Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-till-kylvätska (per Di (s.d.) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 O C		0.072 0.104	0.083 0.120	K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Vikt av Modul		750		G